太子 敏則 (タイシ トシノリ)   

学術研究院(工学系)

工学部 電子情報システム工学科 

教授 

学位

  • 博士(工学), 信州大学

研究キーワード

    結晶成長, 結晶欠陥評価, シリコン, ゲルマニウム, 機能性酸化物結晶

研究分野

  • 応用物性, 応用物性
  • 結晶工学, 結晶工学

メールアドレス

    taishi★shinshu-u.ac.jp

経歴

  • 2021年
    信州大学工学部電子情報システム工学科 教授
  • 2011年 - 2021年
    信州大学工学部 准教授
  • 2009年 - 2011年
    信州大学カーボン科学研究所 助教
  • 2006年 - 2009年
    東北大学金属材料研究所 助教
  • 2004年 - 2006年
    信州大学教育学部産学官連携研究員
  • 2001年 - 2004年
    日本学術振興会特別研究員(PD)

学歴

  • 2001年, 信州大学, 工学研究科, 材料工学専攻
  • 1998年, 長岡技術科学大学, 工学研究科, 生物機能工学専攻

受賞

  • 2009年
    本多記念会 第49回原田研究奨励賞
  • 2003年
    第33回日本結晶成長学会 論文賞
  • 2002年
    第32回日本結晶成長学会 講演奨励賞
  • 1999年
    平成11年度日本物理学会北陸支部応用物理学会北陸・信越支部合同講演会 講演奨励賞

論文

  • Lithiation/Delithiation of Silicon Heavily Doped with Boron Synthesized Using the Czochralski Process
    M. Shimizu, K. Kimoto, A. Kikuchi, T. Taishi, S. Arai
    Energy Adv.,, 2, 813, 2023年04月
  • Line-shaped defects in β-Ga2O3 crystals grown by the vertical Bridgman (VB) method
    T. Taishi, N. Kobayashi, E. Ohba, K. Hoshikawa
    Jpn. J. Appl. Phys., 62, SF1025, 2023年03月
  • Polycrystalline SiC coating on large-sized SiC ceramics using Si vapor
    Yuuki KAGAMI, Syuuichi YAMAMOTO, Yuta YOKOBAYASHI, Ryunosuke,UCHIDA, Koki SUZUKI, Seiichi TARUTA and Toshinori TAISHI
    J. Ceram. Soc. Japan, 129(12), 1-7, 2021年09月
  • Dopant Effect on Lithiation/Delithiation of Highly Crystalline Silicon Synthesized Using the Czochralski Process
    M. Shimizu, K. Kimoto, T. Kawai, T. Taishi, S. Arai
    Appl. Energy Matter., 4, 7922, 2021年07月
  • Growth of (100), (010) and (001) b-Ga2O3 single crystals by vertical Bridgman method
    E. Ohba, T. Kobayashi, T. Taishi, K. Hoshikawa
    J. Cryst. Growth, 556, 125990, 2021年02月
  • バルク結晶育成における融液中および結晶中の温度勾配測定
    太子敏則
    日本結晶成長学会誌, 47(2), 47-2-01, 2020年07月
  • 酸化物および化合物半導体バルク結晶成長における温度勾配
    宇田聡, 川瀬智博, 太子敏則
    日本結晶成長学会誌, 47(2), 47-2-05, 2020年07月
  • Effect of cobalt addition to Si–Cr solvent in top-seeded solution growth
    K. Hyun, S.J. Kim, T. Taishi
    2020年02月
  • Effect of cobalt addition to Si–Cr solvent in top-seeded solution growth
    K. Hyun, S.J. Kim, T. Taishi
    Applied Surface Science, 513, 145798, 2020年02月
  • The effect of Al addition to a Cr solvent without molten Si on the surface morphology in a solution growth of SiC
    K. Suzuki, T. Taishi
    Japanese Journal of Applied Physics, 59, 025504(1-6), 2020年01月
  • TSSG 法によるSiC 結晶成長における溶液中の炭素濃度の経時変化と種子づけ後の結晶品質に与える影響
    太子敏則,土本直道,高橋大,玄光龍,鈴木皓己
    J. Flux Growth, 14, 25-29, 2019年06月
  • タンタル酸ニオブ酸カリウムの電気光学効果とその単結晶製造技術
    小松 貴幸, 太子 敏則, 小島 孝広, 笹浦 正弘
    応用物理, 88(5), 341-347, 2019年05月
  • 固体電解質LixLa(1-x)/3NbO3のバルク単結晶
    藤原靖幸, 太子敏則, 干川圭吾, 小浜恵一, 胡肖兵, 小林俊介, 幾原裕美, Craig Fisher, 幾原雄一, 射場英紀
    日本結晶成長学会誌, 46(1), 04(1-9), 2019年04月
  • Solution growth of SiC from the crucible bottom with dipping under unsaturation state of carbon in solvent
    T. Taishi,M. Takahashi,N. Tsuchimoto,K. Suzuki, K. Hyun
    Mater. Sci. Forum, 924, 51-54, 2018年06月
  • Experimental Determination of Carbon Solubility in Si0.56Cr0.4M0.04 (M=Transition Metals) Solvents for the Solution Growth of SiC
    K. Hyun, T. Taishi, K. Teshima
    Mater. Sci. Forum, 924, 43-46, 2018年06月
  • The effect of the structure of seed attachment on polytype and morphology in solution growth of SiC by TSSG method
    K. Suzuki, K. Hyun, T. Taishi
    Mater. Sci. Forum, 924, 35-38, 2018年06月
  • 垂直ブリッジマン法によるタンタル酸ニオブ酸カリウム(KTN)単結晶の育成と組成均一化
    太子敏則、干川圭吾、小島孝広、笹浦正弘、小松貴幸
    日本結晶成長学会誌, 43, 23-31, 2016年10月
  • Anisotropy of ionic conduction in single-crystal LixLa(1%x)/3NbO3 solid electrolyte grown by directional solidification
    Y. Fujiwara, T. Taishi, K. Hoshikawa, K. Kohama, H. Iba
    Jpn. J. Appl. Phys., 55, 090306-1-090306-3, 2016年09月
  • The Growth of Potassium Tantalate Niobate (KTaxNb1-xO3) Single Crystal by Vertical Bridgman Method
    T. Taishi, K. Hosokawa, K. Hoshikawa, T. Kojima, J. Osada, M. Sasaura, Y. Furukawa, T. Komatsu
    Additive Manufacturing and Strategic Technologies in Advanced Ceramics: Ceramic Transactions, 258, 105-112, 2016年08月
  • Colony structure in Ce-doped Al2O3/YAG eutectic systems grown by vertical Bridgman technique
    S. Yamada, M. Yoshimura, S. Sakata, T. Taishi, K. Hoshikawa
    J. Cryst. Growth, 448, 1-5, 2016年07月
  • Influence of Ge composition in the Cu2Sn1-xGexS3 thin-film photovoltaic absorber prepared by sulfurization of laminated metallic precursor
    Htay, MT; Mandokoro, T; Seki, H; Sakaizawa, T; Momose, N; Taishi, T; Hashimoto, Y; Ito, K
    SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, 140, 312-319, 2015年09月WebofScienceリポジトリ電子ジャーナル
  • The growth of Al2O3/YAG:Ce melt growth composite by the vertical Bridgman technique using an a-axis Al2O3 seed
    Masafumi Yoshimura, Shin-ichi Sakata, Seiya Yamada, Toshinori Taishi, Keigo Hoshikawa
    J. Cryst. Growth, 427, 16-20, 2015年
  • Morphology and formation mechanism of metallic inclusions in VB-grown sapphire crystals
    T.Taishi, T.Kobayashi, M.Shinozuka, E.Ohba, C.Miyagawa, K.Hoshikawa
    J. Cryst. Growth, 401, 388-391, 2014年09月01日WebofScienceリポジトリ電子ジャーナル
  • Vertical Bridgman growth of sapphire crystals, with thin-neck formation process
    Hoshikawa, K; Taishi, T; Ohba, E; Miyagawa, C; Kobayashi, T; Yanagisawa, J; Shinozuka, M
    Journal of Crystal Growth, 401, 146-149, 2014年09月WebofScienceリポジトリ電子ジャーナル
  • Constitutional supercooling in heavily As-doped Czochralski Si crystal growth
    T. Taishi, Y. Ohno, I. Yonenaga
    J. Cryst. Growth, 393, 42-44, 2014年05月01日WebofScienceリポジトリ電子ジャーナル
  • Development of the vertical Bridgman technique for 6-inch diameter c-axis sapphire growth supported by numerical simulation
    C. Miyagawa, T. Kobayashi, T. Taishi, K. Hoshikawa
    J. Cryst. Growth, 402, 83-89, 2014年
  • Growth of potassium tantalate (KTaO3) crystalsby directional solidification
    Toshinori Taishi, Takayuki Takenaka,Kazuya Hosokawa,Noriko Bamba,Keigo Hoshikawa
    J. Cryst. Growth, 380, 39-42, 2013年10月01日WebofScienceリポジトリ電子ジャーナル
  • Demonstration of crack-free c-axis sapphire crystal growth using the vertical Bridgman method
    Chihiro Miyagawa, Takumi Kobayashi, Toshinori Taishi, Keigo Hoshikawa
    J. Cryst. Growth, 372, 95-99, 2013年
  • Czochralski growth techniques of germanium crystals grown from a melt covered partially or fully by liquid B2O3
    T.Taishi, Y.Hashimoto, H.Ise, Y.Murao, T.Ohsawa and I.Yonenaga
    J. Cryst. Growth, 360, 47-51, 2012年12月01日WebofScienceリポジトリ電子ジャーナル
  • Growth and characterization of germanium crystals from B2O3-coverd melt
    T. Taishi
    2012 3CG Collaborative Conference on Crystal Growth, 2012年12月
  • Fabrication of flower-shaped Bi(2)O(3) superstructure by a facile template-free process
    Zhang, Li; Hashimoto, Yoshio; Taishi, Toshinori; Nakamura, Isao; Ni, Qing-Qing
    Applied Surface Science, 257(15), 6577-6582, 2011年05月WebofScienceリポジトリ電子ジャーナル
  • Oxygen doped Ge crystals Czochralski-grown from the B2O3-fully-covered melt
    T. Taishi, Y. Ohno, I. Yonenaga
    Miroelectro. Eng., 88, 496-498, 2011年02月, 査読有り
  • Mild hydrothermal treatment to prepare highly dispersed multi-walled carbon nanotubes
    Zhang, Li; Hashimoto, Yoshio; Taishi, Toshinori; Ni, Qing-Qing
    Applied Surface Science, 257(6), 1845-1849, 2011年01月WebofScienceリポジトリ電子ジャーナル
  • Czochralski-growth of germanium crystals containing high concentrations of oxygen impurities
    T. Taishi, H. Ise, Y. Murao, T. Osawa, M. Suezawa, Y. Tokumoto, Y. Ohno, K. Hoshikawa and I. Yonenaga
    J. Cryst. Growth, 312, 2783-2787, 2010年06月, 査読有りWebofScienceリポジトリ電子ジャーナル
  • Behavior of dislocations due to thermal shock and critical shear stress of Si in Czochralski crystal growth
    T. Taishi, K. Hoshikawa, Y. Ohno, I. Yonenaga
    Physica B, 404, 4612-4615, 2009年12月, 査読有り
  • Generation and suppression of misfit dislocations at the seed/crystal interface in Si bulk crystal growth
    T. Taishi, K. Hoshikawa, Y. Ohno and I. Yonenaga
    Phys. Stat. Sol. (C), 6, 1886-1891, 2009年06月, 査読有り
  • Reduction of grown-in dislocation density in Ge Czochralski-grown from the B2O3-partially-covered melt
    T. Taishi, Y. Ohno, I. Yonenaga
    J. Cryst Growth, 311, 4615-4618, 2009年06月, 査読有り
  • Single cyrystal growth of langataite (La3Ta0.5Ga5.5O14) by vertical Bridgman (VB) method along [21-1-0]in air and an Ar atmosphere
    T. Taishi, N. Bamba, K. Hoshikawa and I. Yonenaga
    J. Cryst Growth, 311, 205-208, 2008年12月, 査読有り
  • High-temperature strength and dislocation mobility in the wide band-gap ZnO: Comparison with various semiconductors
    I. Yonenaga, H. Koizumi, Y. Ohno and T. Taishi
    J. Appl. Phys., 103, 093502(1-4), 2008年05月, 査読有り
  • 無ネック無転位シリコン単結晶成長
    干川圭吾, 太子敏則, 黄新明
    日本結晶成長学会誌, 34, 17-22, 2008年04月, 査読有り
  • Si multicrystals grown by the Czochralski method with multi-seeds
    T. Hoshikawa, T. Taishi, M. Yamatani, K. Shirakawa X. Huang, S. Uda and K. Hoshikawa
    J. Cryst. Growth, 307, 466-471, 2007年07月, 査読有り
  • Influence of crystalline defects in Czochralski-grown Si multicrystal on minority carrier lifetime
    T. Taishi, T. Hoshikawa, M. Yamatani, K. Shirakawa X. Huang, S. Uda and K. Hoshikawa
    J. Cryst. Growth, 306, 452-457, 2007年05月, 査読有り
  • Single-crystal growth of langasite (La3Ga5SiO14) by the vertical Bridgman (VB) method in air and in an Ar atmosphere
    T. Taishi, T. Hayashi, T. Fukami, K. Hoshikawa and I. Yonenaga
    J. Cryst. Growth, 304, 4-6, 2007年03月, 査読有り

書籍等出版物

  • 国立大学で大学を学ぼう Vol. 2
    太子敏則(分担執筆)
    フロムページ, P214-P215 2022年01月
  • 液相からの結晶成長入門 育成技術と評価方法
    太子敏則(分担執筆)
    日刊工業新聞社, P140-P148 2021年12月

講演・口頭発表等

  • Segregation and constitutional supercooling in heavily doped silicon single crystal growth by Czochralski method
    Toshinori Taishi
    The 9th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies,, 2023年06月05日, 招待有り
  • バルク単結晶およびその育成技術からの新たな研究アプローチ
    太子敏則
    応用物理学会北陸・信越支部 第5回有機無機シンポジウム, 2020年11月27日, 招待有り
  • 垂直ブリッジマン(VB)法による バルク単結晶・混晶の育成と特徴
    太子敏則
    第41回結晶成長討論会, 2018年09月05日
  • TSSG法によるSiC溶液成長における溶媒中の炭素の溶解・輸送解析と結晶品質に与える影響
    太子敏則
    第12回日本フラックス成長研究発表会, 2017年12月07日
  • Solution growth of SiC -Unique approach by vertical-Bridgman-like technique-
    Toshinori Taishi
    Third International Workshop on Advanced Functional Nanomaterials, 2015年12月
  • Growth of potassium tantalate niobate (KTaxNb1-xO3: KTN) crystals by the vertical Bridgman (VB) method
    Toshinori Taishi, Kazuya Hosokawa, Keigo Hoshikawa, Takahiro Kojima, Junya Osada, Masahiro Sasaura, Yasunori Furukawa, Takayuki Komatsu
    11th International Conference on Ceramic Materials and Components for Energy and Environmental Applications, 2015年
  • SiC溶液成長 ~溶剤添加効果と炭素の溶解・輸送・成長のバランス~
    太子敏則、日根賢人
    応用物理学会第1回先進パワー半導体分科会, 2014年11月20日
  • B2O3 を用いた引き上げ法による高品質・高強度Ge 単結晶の育成
    太子敏則、米永一郎、干川圭吾
    第43回結晶成長討論会 06aB06, 2013年11月
  • 成長開始直後に決まるバルク結晶の品質 ~ CZシリコン単結晶成長における種子づけと転位挙動 ~
    太子敏則、干川圭吾
    第37回結晶成長討論会, 2013年09月
  • 液状酸化ホウ素(B2O3)を用いた無転位・酸素添加ゲルマニウム結晶の育成
    太子敏則、米永一郎
    まてりあ 50 10 431, 2011年05月
  • Czochralski germanium crystal growth with low dislocation density and oxygen impurities
    T. Taishi
    TheForum on the Science and Technology of Silicon Materials 2010, 2010年11月
  • CZ-Si多結晶成長による少数キャリアライフタイム低下要因の解明
    太子敏則, 干川岳志, 山谷宗義, 白澤勝彦, 黄新明, 宇田聡, 干川圭吾
    第50回応用物理学関係連合講演会, 2007年03月, 招待有り
  • マルチシード法によるCZ-Si 多結晶成長と評価
    太子敏則, 干川岳志, 山谷宗義, 白澤勝彦, 黄新明, 宇田聡, 干川圭吾
    日本学術振興会結晶加工と評価技術第145委員会第108回研究会, 2006年12月, 招待有り
  • Si結晶成長技術の現状と課題
    太子敏則, 干川圭吾
    第65回応用物理学関係連合講演会, 2006年08月, 招待有り

担当経験のある科目_授業

  • 基礎論理回路
    信州大学
  • 結晶成長特論
    信州大学
  • 結晶成長特別実験
    信州大学
  • 結晶成長演習
    信州大学
  • 電子回路III
    信州大学
  • 半導体工学I
    信州大学
  • 電子情報基礎実験
    信州大学
  • 電子回路Ⅱ
    信州大学

所属学協会

  • 2019年08月
    International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2021 Local Arrangement Committee Chair
  • 2019年04月
    応用物理学会先進パワー半導体分科会 幹事
  • 2018年11月
    The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2024 Chair
  • 2018年01月
    日本学術振興会第161委員会 運営委員
  • 2017年04月
    応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 幹事
  • 2016年04月
    日本結晶成長学会 理事
  • 2012年10月
    日本学術振興会第145委員会 幹事/運営委員
  • 2007年04月
    日本フラックス成長研究会
  • 2002年07月
    応用物理学会シリコンテクノロジー分科会
  • 2001年07月
    応用物理学会結晶工学分科会
  • 1999年07月
    日本結晶成長学会
  • 1999年03月
    応用物理学会

共同研究・競争的資金等の研究課題

  • CZシリコン結晶成長における組成的過冷却および転位挙動評価
    2021年 - 2025年
  • 多結晶SiCコーティングに関する研究
    2019年 - 2022年
  • β型酸化ガリウムの結晶成長および評価
    2016年 - 2025年
  • 全率固溶混晶の結晶成長および評価
    2013年 - 2018年
  • 炭化ケイ素(SiC)の溶液成長に関する研究
    2012年 - 2022年
  • 高品質ゲルマニウム単結晶成長に関する研究
    2006年 - 2013年
  • 垂直ブリッジマン法による機能性酸化物結晶成長
    2003年 - 2006年
  • CZシリコン結晶成長および欠陥挙動解析
    1998年 - 2003年
  • 引き上げ法ゲルマニウム単結晶成長における成長時導入欠陥の形成挙動・機構の解明
    科学研究費補助金, 若手研究(B)
  • 酸化ホウ素で覆われた融液からのゲルマニウム結晶成長における酸素の輸送機構の解明
    科学研究費補助金, 若手研究(A)
  • Si・C溶質が連続供給される溶剤金属からの改良TSSG法によるSiC溶液成長
    科学研究費補助金, 基盤研究(C)
  • Siを含まない金属溶媒を用いた再結晶によるSiC溶液成長と大形・長尺化
    科学研究費補助金, 基盤研究(B)

産業財産権

  • 無転位シリコン単結晶の製造方法, 特願2000-049667, 特許権
  • ランガサイト系単結晶の作製方法及び作製装置並びにその単結晶を用いた燃焼圧センサ, 特願2006-354972, 特許権
  • 低転位密度ゲルマニウム単結晶の製造方法, 特願2009-109980, 特許権
  • リチウムイオン電池用負極材料, 特願2013-271074, 特許権
  • ろ過器およびその製造方法ならびにこれを用いた金属回収方法, 特願2015-046885, 特許権
  • SiC単結晶の製造方法, 特願2015-193699, 特許権
  • SiC単結晶の製造方法, 特願2017- 67147, 特許権