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宮地幸祐  ミヤジ コウスケ

教員組織学術研究院(工学系)電話番号
教育組織工学部 電子情報システム工学科FAX番号
職名准教授メールアドレスkmiyaji@shinshu-u.ac.jp
住所〒380-8553 長野県長野市若里4-17-1ホームページURLhttp://www.shinshu-u.ac.jp/faculty/engineering/chair/elec024/

プロフィール

研究分野
電子デバイス・電子機器
現在の研究課題
高効率パワーマネージメント集積回路設計
キーワード:集積回路 , DC-DCコンバータ , 非接触給電 , エネルギーハーベスティング , 三次元実装
新規デバイスを用いたアナログセンシングシステム・回路設計
キーワード:電流センサー , 容量センサ― , アナログ回路設計
所属学会
所属学会
応用物理学会(JSAP)
電子情報通信学会(IEICE)
米国電気電子学会(IEEE), SSCS, EDS, CAS, PES

所属学会役職担当
2011- , 電子情報通信学会 集積回路研究会 , 専門委員
2015-2018 , 応用物理学会 , SSDM2015論文総務
2015-2015 , 電子情報通信学会 集積回路研究会 , LSIとシステムのWS2015実行委員
2014-2015 , ACM, IEEE, IEICE, IPSJ , ASP-DAC2015 デザインコンテスト委員
2014-2014 , 電子情報通信学会 集積回路研究会 , LSIとシステムのWS2014実行委員
2014-2014 , 電子情報通信学会 , 信越支部大会実行委員
学歴
出身大学院
2008 , 東京大学大学院 , 工学系研究科 , 電子工学専攻
2005 , 東京大学大学院 , 工学系研究科 , 電子工学専攻

出身学校・専攻等(大学院を除く)
2003 , 東京大学 , 工学部 , 電子工学科

取得学位
博士(工学) , 東京大学大学院
修士(工学) , 東京大学大学院
学士(工学) , 東京大学
研究職歴等
研究職歴
2015- , 信州大学 工学部 電気電子工学科 准教授
2013-2015 , 信州大学 工学部 電気電子工学科 助教
2012-2013 , 中央大学 研究開発機構 専任研究員・機構助教
2010-2012 , 東京大学 生産技術研究所 特任助教
2009-2010 , 東京大学 生産技術研究所 特任研究員
2007-2008 , 日本学術振興会 特別研究員(DC2)

研究職歴以外の職歴
2008-2009 , 日本テキサス・インスツルメンツ

研究活動業績

研究業績(著書・
発表論文等)
著書
環境磁界発電-原理と設計法-
科学情報出版株式会社 2016(Mar.)
Author:田代晋久、脇若弘之、佐藤敏郎、曽根原誠、水野勉、卜穎剛、宮地幸祐、中澤達夫、生稲弘明、笠井利幸


論文
Number of traps and trap depth position on statistical distribution of random telegraph noise in scaled NAND flash memory
Japanese Journal of Applied Physics,55(4S):04EE08 2016(Apr.)
Author:Toshihiro Tomita, Kousuke Miyaji


Substrate Doping Concentration Dependence on Random Telegraph Noise Spatial and Statistical Distribution in 30nm NAND Flash Memory,” Japanese Journal of Applied Physics, vol. 54, no. 4S, p. 04DD02, April 2015.
Japanese Journal of Applied Physics,54(4S):04DD02 2015(Apr.)
Author:Toshihiro Tomita, Kousuke Miyaji


A Temperature tracking read reference current and write voltage generator for multi-level phase change memories
IEICE Transactions on Electronics,E97-C(4):342-350 2014(Apr.)
Author:Koh Johguchi, Toru Egami, Kousuke Miyaji and Ken Takeuchi


Co-design of application software and NAND flash memory in solid-state drive for relational database storage system
Japanese Journal of Applied Physics,53(4S):04EE09 2014(Apr.)
Author:Kousuke Miyaji, Chao Sun, Ayumi Soga, and Ken Takeuchi


Hybrid triple-level-cell /multi-level-cell NAND flash storage array with chip exchangeable method
Japanese Journal of Applied Physics,53(4S):04EE04 2014(Apr.)
Author:Shogo Hachiya, Koh Johguchi, Kousuke Miyaji and Ken Takeuchi


A High Performance and Energy-Efficient Cold Data Eviction Algorithm for 3D-TSV Hybrid ReRAM/MLC NAND SSD
IEEE Transactions on Circuit and Systems I,61(2):382-392 2014(Feb.)
Author:Chao Sun, Kousuke Miyaji, Koh Johguchi and Ken Takeuchi


Control gate length, spacing, channel hole diameter, and stacked layer number design for bit-cost scalable-type three-dimensional stackable NAND flash memory
Japanese Journal of Applied Physics,53(2):024201 2014(Jan.)
Author:Kousuke Miyaji, Yuki Yanagihara, Reo Hirasawa, Sheyang Ning and Ken Takeuchi


A 6T-SRAM With a Post-Process Electron Injection Scheme That Pinpoints and Simultaneously Repairs Disturb Fails for 57% Less Read Delay and 31% Less Read Energy
IEEE Journal of Solid-State Circuits,48(9):2239-2249 2013(Sep.)
Author:Kousuke Miyaji, Toshikazu Suzuki, Shinji Miyano and Ken Takeuchi


Near Threshold Voltage Word-line Voltage Injection Self-Convergence Scheme for Local Electron Injected Asymmetric Pass Gate Transistor 6T-SRAM
IEEE Trans. Circuit and Systems I,59(8):1635-1643 2012(Aug.)
Author:Kousuke Miyaji Yasuhiro Shinozuka, Shinji Miyano and Ken Takeuchi


Endurance Enhancement and High Speed Set/Reset of 50nm Generation HfO2–based Resistive Random Access Memory (ReRAM) Cell by Intelligent Set/Reset Pulse Shape Optimization and Verify Scheme
Japanese Journal of Applied Physics,51(2):02BD07 2012(Apr.)
Author:Kazuhide Higuchi, Kousuke Miyaji, Koh Johguchi and Ken Takeuchi


Initialize&and Weak-Program Erasing Scheme and Single-Pulse Programming Scheme for High-Performance and High-Reliability Ferroelectric NAND Flash Solid-State Drive
IEICE Transactions on Electronics,E95-C(4):609-616 2012(Apr.)
Author:Kousuke Miyaji, Ryoji Yajima, Shigeki Sakai, Ken Takeuchi et al.


Analysis of Operation Margin and Read Speed in 6T- and 8T-SRAM with Local Electron Injected Asymmetric Pass Gate Transistor
IEICE Transactions on Electronics,E95-C(4):564-571 2012(Apr.)
Author:Kousuke Miyaji, Kentaro Honda, Shinji Miyano, Ken Takeuchi et al.


Zero Additional Process, Local Charge Trap, Embedded Flash Memory with Drain-side Assisted Erase Scheme Using Minimum Channel Length/Width Standard CMOS Single Transistor Cell
Japanese Journal of Applied Physics,51(4):04DD02 2012(Apr.)
Author:Kousuke Miyaji, Yasuhiro Shinozuka and Ken Takeuchi


Scaling Trends and Tradeoffs between Short Channel Effect and Channel Boosting Characteristics in sub-20nm Bulk/SOI NAND Flash Memory
Japanese Journal of Applied Physics,51(4):04DD12 2012(Apr.)
Author:Kousuke Miyaji, Chinglin Hung and Ken Takeuchi


Improvement of Read Margin and its Distribution by VTH Mismatch Self-Repair in 6T-SRAM with Asymmetric Pass Gate Transistor Formed by Post-Process Local Electron Injection
IEEE Journal of Solid-State Circuits,46(9):2180-2188 2011(Sep.)
Author:Kousuke Miyaji, Shuhei Tanakamaru, Kentaro Honda, Ken Takeuchi et al.


A 1.0V Power Supply, 9.5GByte/sec Write Speed, Single-Cell Self-Boost Program Scheme for Ferroelectric NAND Flash SSD
Solid-State Electronics,58:34-41 2011(Jan.)
Author:Kousuke Miyaji, Shinji Noda, Shigeki Sakai, Ken Takeuchi et al.


A 0.5-V Six-Transistor Static Random Access Memory with Ferroelectric-Gate Field Effect Transistors
Japanese Journal of Applied Physics,49(12):121501 2010(Dec.)
Author:Shuhei Tanakamaru, Kousuke Miyaji, Shigeki Sakai, Ken Takeuchi et al.


A 1.2V Power Supply, 2.43 Times Power Efficient, Adaptive Charge Pump Circuit with Optimized VTH at Each Pump Stage for Ferroelectric (Fe)-NAND Flash Memories
Japanese Journal of Applied Physics,49(4S):04DD10 2010(Apr.)
Author:Shinji Noda, Kousuke Miyaji, Shigeki Sakai, Ken Takeuchi et al.


Silicon nanowire n-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistors and single-electron transistors at room temperature under uniaxial tensile strain
Journal of Applied Physics (JAP),105(8):084514 2009(Jun.)
Author:Jeong YeonJoo, Kousuke Miyaji, Takuya Saraya and Toshiro Hiramoto


Electron Mobility in Silicon Gate-All-Around [100]- and [110]-Directed Nanowire Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor on (100)-Oriented Silicon-on-Insulator Substrate Extracted by Improved Split Capacitance-Voltage Method
Japanese Journal of Applied Physics,48(1):011205 2009(Jan.)
Author:Jiezhi Chen, Takuya Saraya, Kousuke Miyaji, Toshiro Hiramoto et al.


On the Origin of Negative Differential Conductance in Ultranarrow Wire Channel Silicon Single-Electron and Single-Hole Transistor
Japanese Journal of Applied Physics,47(3):1813-1817 2008(Mar.)
Author:Masaharu Kobayashi, Kousuke Miyaji and Toshiro Hiramoto


Extremely high flexibilities of Coulomb blockade and negative differential conductance oscillations in room-temperature-operating silicon single hole transistor
Applied Physics Letters,92(7):073502 2008(Feb.)
Author:Sejoon Lee, Kousuke Miyaji, Masaharu Kobayashi and Toshiro Hiramoto


Control of full width at half maximum of Coulomb oscillation in silicon single-hole transistors at room temperature
Applied Physics Letters,91(5):053509 2007(Aug.)
Author:Kousuke Miyaji and Toshiro Hiramoto


Compact Analytical Model for Room-Temperature-Operating Silicon Single-Electron Transistors with Discrete Quantum Energy Levels
IEEE Transactions on Nanotechnology,5(3):167-173 2006(May)
Author:Kousuke Miyaji, Masumi Saitoh and Toshiro Hiramoto


Voltage gain dependence of the negative differential conductance width in silicon single-hole transistors
Applied Physics Letters,88(14):143505 2006(Apr.)
Author:Kousuke Miyaji, Masumi Saitoh and Toshiro Hiramoto


Temperature Dependence of Off-Currentin Bulk and FD SOI MOSFETs
Japanese Journal of Applied Physics,44(4B):2371-2375 2005(Apr.)
Author:Kousuke Miyaji, Masumi Saitoh, Toshiharu Nagumo and Toshiro Hiramoto


学会発表
光プローブ電流センサ向け完全差動CMOSアナログフロントエンドの設計
2017年電子情報通信学会総合大会 , :C-12-9 2017(Mar.)
Author:上倉宇晴, 小柳洸介, 曽根原誠, 佐藤敏郎, 宮地幸祐


A 13.56MHz CMOS Active Diode Full-Wave Rectifier Achieving ZVS with Voltage-Time-Conversion Delay-Locked Loop for Wireless Power Transmission
Asia and South Pacific Design Automation Conferenece , :27-28 2017(Jan.)
Author:Keita Yogosawa, Hideki Shinohara, Kousuke Miyaji


光プローブ電流センサ向け光電流電圧変換CMOSアナログフロントエンド回路の検討と試作
電子情報通信学会, 集積回路研究会, 信学技報 , 116(364):ICD2016-74 2016(Dec.)
Author:小柳洸介, 宮地幸祐


電圧遅延変換DLL制御を用いた非接触給電向けZVS動作アクティブダイオード型CMOS全波整流器の設計
電子情報通信学会, 集積回路研究会, LSIとシステムのワークショップ 2016(May)
Author:與五沢啓太, 篠原秀樹, 宮地幸祐


非接触給電向け電圧遅延変換DLLを用いたZVSCMOS整流器
電子情報通信学会, 集積回路研究会, 信学技報 , 115(373):ICD2015-79 2015(Dec.)
Author:篠原秀樹, 宮地幸祐


3次元デバイスシミュレーションを用いた30nm世代NANDフラッシュメモリにおけるRTN統計分布の浮遊ゲート内電荷量及びトラップ個数依存性解析
応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 , :84 2015(Dec.)
Author:富田季宏, 宮地幸祐


A ZVS CMOS Active Diode Rectifier with Voltage-Time-Conversion Delay-Locked Loop for Wireless Power Transmission
IEEE Asian Solid-State Circuits Conference (A-SSCC) , :15-3 2015(Nov.)
Author:Hideki Shinohara, Kousuke Miyaji


Effects of Cell Vth State and Number of Traps on Statistical Distribution of Random Telegraph Noise in Scaled NAND Flash Memory
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) , :1188-1189 2015(Sep.)
Author:Toshihiro Tomita, Kousuke Miyaji


光プローブ電流センサ向け光電流電圧変換CMOSアナログフロントエンド回路の検討
電気学会, リニアドライブ研究会 , :LD-15-009 2015(Jun.)
Author:小柳洸介, 宮地幸祐


30nm世代NANDフラッシュメモリにおけるRTNの空間及び統計分布のチャネル不純物濃度依存性
第62回春季応用物理学会学術講演会 , :12p-A23-3 2015(Mar.)
Author:富田季宏, 宮地幸祐


Substrate Doping Concentration Dependence on Random Telegraph Noise Spatial and Statistical Distribution in 30nm NAND Flash Memory
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) , :462-463 2014(Sep.)
Author:Toshihiro Tomita, Kousuke Miyaji


微細集積メモリデバイスにおける回路・システム技術による信頼性向上に関する研究
有機・無機エレクトロニクスシンポジウム , :OI-3 2014(Jul.)
Author:宮地幸祐


環境磁界発電向けCMOS整流器および昇圧電源回路の検討
電気学会, マグネティックス/リニアドライブ合同研究会 , :MAG-14-062, LD-14-016 2014(Jun.)
Author:篠原秀樹, 宮地幸祐


SSDコントローラ―とミドルウェアの協調設計
電子情報通信学会, 集積回路研究会, LSIとシステムのワークショップ 2014(May)
Author:荒川飛鳥, 孫超, 曽我あゆみ, 宮地幸祐, 竹内健


SSDを用いたデータベースストレージシステムにおけるアプリケーション層とNANDフラッシュメモリ層の協調設計
電子情報通信学会, 集積回路研究会, 信学技報 , 114(13):ICD2014-6 2014(Apr.)
Author:宮地幸祐, 孫超, 曽我あゆみ, 竹内健


ビッグデータ向けMLC/TLCハイブリッドストレージアレイのデータマネジメントと交換手法の提案
電子情報通信学会, 集積回路研究会, 信学技報 , 114(13):ICD2014-5 2014(Apr.)
Author:蜂谷尚悟, 上口光, 宮地幸祐, 竹内健


三次元TSV積層ReRAM/NANDフラッシュメモリハイブリッドSSDにおける不揮発メモリへの性能要求
電子情報通信学会, 集積回路研究会, 信学技報 , 114(13):ICD2014-3 2014(Apr.)
Author:宮地幸祐, 藤井裕大, 上口光, 樋口和英, 孫超, 竹内健


3D-Integrated Storage Class Memory/NAND Flash Hybrid SSDs for Cloud Data Centers
Non-Volatile Memories Workshop (NVMW) , :Poster 64 2014(Mar.)
Author:Shun Okamoto, Chao Sun, Shogo Hachiya, Koh Johguchi, Kousuke Miyaji, Ken Takeuchi


アクティブダイオードを用いたCMOS整流器の高効率化に向けたヒステリシスコンパレータ制御方針の検討
電子情報通信学会, 集積回路研究会, 信学技報 , 113(419):ICD2013-123 2014(Jan.)
Author:篠原秀樹, 宮地幸祐


30nm世代のNANDフラッシュメモリにおけるランダムテレグラフノイズの強度と分布のチャネル不純物密度依存性
電子情報通信学会, 集積回路研究会, 信学技報 , 113(419):ICD2013-122 2014(Jan.)
Author:富田季宏, 宮地幸祐


データ断片化防止アルゴリズムを用いたハイブリッドSCM/MLC NANDフラッシュ SSD
第25回コンピュータシステム・シンポジウム (ComSys2013) 2013(Dec.)
Author:岡本峻, 藤井裕大, 宮地幸祐, 上口光, 樋口和英, 孫超, 竹内健


TLC/MLC NAND Flash Mix-and-Match Design with Exchangeable Storage Array
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) , :894-895 2013(Sep.)
Author:Shogo Hachiya, Koh Johguchi, Kousuke Miyaji and Ken Takeuchi


Co-Design of Application Software and NAND Flash Memory for Database Storage System
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) , :130-131 2013(Sep.)
Author:Kousuke Miyaji, Chao Sun and Ken Takeuchi


Hybrid ReRAM and MLC NAND SSD Memory System with Data Fragmentation Suppression
Flash Memory Summit 2013(Aug.)
Author:Tomoko Iwasaki, Hiroki Fujii, Kousuke Miyaji, Koh Johguchi, Kazuhide Higuchi, Chao Sun, Ken Takeuchi


40nm世代6T-SRAMにおけるパスゲートトランジスタへの非対称電荷注入によるスタティックノイズマージン改善の解析
IEEE IRPS2013報告会 2013(Jul.)
Author:宮地幸祐, 小林大介, 宮野信治, 竹内健


High Performance and Energy-efficient Hybrid ReRAM/MLC NAND Flash SSD with Intelligent Data Management Algorithm
Symposium on Advanced Computing Systems and Infrastructures (SACSIS) , :117-118 2013(Jun.)
Author:Chao Sun, Hiroki Fujii, Kousuke Miyaji, Koh Johguchi, Kazuhide Higuchi and Ken Takeuchi


Write Voltage and Read Reference Current Generator for Multi-Level Ge2Sb2Te5-based Phase Change Memories with Temperature Characteristics Tracking
IEEE International Memory Workshop (IMW) , :104-107 2013(May)
Author:Koh Johguchi, Toru Egami, Kousuke Miyaji and Ken Takeuchi


SCM capacity and NAND over-provisioning requirements for SCM/NAND flash hybrid enterprise SSD
IEEE International Memory Workshop (IMW) , :64-67 2013(May)
Author:Chao Sun, Kousuke Miyaji, Koh Johguchi and Ken Takeuchi


MLC相変化メモリとNANDフラッシュメモリを用いた三次元ハイブリッドSSDのための正負温度係数を有する読み出し参照電源
電子情報通信学会, 集積回路研究会, 信学技報 , 113(1):ICD2013-17 2013(Apr.)
Author:宮地幸祐, 上口光, 樋口和英, 竹内健


SCM及びMLC NANDフラッシュメモリを用いたハイブリッドSSDと断片化防止アルゴリズムによる性能向上
電子情報通信学会, 集積回路研究会, 信学技報 , 113(1):ICD2013-15 2013(Apr.)
Author:宮地幸祐, 藤井裕大, 上口光, 樋口和英, 孫超, 竹内健


Analysis on Static Noise Margin Improvement in 40nm 6T-SRAM with Post-Process Local Electron Injected Asymmetric Pass Gate Transistor
IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) , :3B.6.1-3B.6.5 2013(Apr.)
Author:Kousuke Miyaji, Daisuke Kobayashi, Shinji Miyano and Ken Takeuchi


不良セルへの電荷同時注入による修復技術を用いた低消費電力6T-SRAM
第60回春季応用物理学会学術講演会 , :28a-G9-6 2013(Mar.)
Author:宮地幸祐, 宮野信治, 竹内健


BiCS型三次元積層NANDフラッシュメモリにおけるゲート長、ゲート間隔及び積層数の設計方針
第60回春季応用物理学会学術講演会 , :28a-G9-1 2013(Mar.)
Author:宮地幸祐, 柳原裕貴, 竹内健


Over 10-times High-speed, Energy Efficient 3D TSV-Integrated Hybrid ReRAM/MLC NAND SSD by Intelligent Data Fragmentation Suppression
Asia and South Pacific Design Automation Conferenece , :81-82 2013(Jan.)
Author:Chao Sun, Hiroki Fujii, Kousuke Miyaji, Koh Johguchi, Kazuhide Higuchi, Ken Takeuchi


3次元実装ReRAM/MLC NANDハイブリッドSSDにおける、データマネジメント手法の提案と性能評価
電子情報通信学会, 集積回路研究会, 信学技報 , 112(425):ICD2012-125 2013(Jan.)
Author:蜂谷尚悟, 宮地幸祐, 上口光, 竹内健


トランザクションモデルベース評価プラットフォームを用いた、3次元ReRAM/MLC NANDハイブリッドSSDの性能評価と実データパターンの解析
電子情報通信学会, 集積回路研究会, 信学技報 , 112(365):ICD2012-104 2012(Dec.)
Author:鳥海航, 宮地幸祐, 上口光, 蜂谷尚悟, 竹内健


BiCS型立体構造NANDフラッシュメモリーにおけるゲート長、ゲート間隔及び積層数の設計指針
電子情報通信学会, 集積回路研究会, 信学技報 , 112(365):ICD2012-103 2012(Dec.)
Author:平澤黎生, 宮地幸祐, 竹内健


データ断片化防止アルゴリズムを用いたハイブリッドReRAM/MLC NAND SSD向け評価プラットフォームの構築
電子情報通信学会, 集積回路研究会, 信学技報 , 112(365):ICD2012-102 2012(Dec.)
Author:岡本峻, 宮地幸祐, 上口光, 竹内健


局所電子注入非対称パスゲートトランジスタを有する6T-SRAMのためのしきい値電圧付近ワード線電圧注入法によるしきい値電圧ばらつきの自己収束
電子情報通信学会, 集積回路研究会, 信学技報 , 112(365):ICD2012-94 2012(Dec.)
Author:小林大介, 宮地幸祐, 宮野信治, 竹内健


回路系トップレベル学会を目指した体験 ~ 異分野出身を活かす ~
電子情報通信学会, 集積回路研究会, 信学技報 , 112(365):ICD2012-122 2012(Dec.)
Author:宮地幸祐


An Integrated Variable Positive/Negative Temperature Coefficient Read Reference Generator for MLC PCM/NAND Hybrid 3D SSD
IEEE Asian Solid-State Circuits Conference (A-SSCC) , :313-316 2012(Nov.)
Author:Kousuke Miyaji, Koh Johguchi, Kazuhide Higuchi and Ken Takeuchi


x11 Performance Increase, x6.9 Endurance Enhancement, 93% Energy Reduction of 3D TSV-Integrated Hybrid ReRAM/MLC NAND SSDs by Data Fragmentation Suppression
IEEE Symposium on VLSI Circuits , :134-135 2012(Jun.)
Author:Hiroki Fujii, Kousuke Miyaji, Koh Johguchi, Ken Takeuchi et al.


Control Gate Length, Spacing and Stacked Layer Number Design for 3D-Stackable NAND Flash Memory
IEEE International Memory Workshop (IMW) , :84-87 2012(May)
Author:Yuki Yanagihara, Kousuke Miyaji and Ken Takeuchi


高速、低消費電力6T-SRAMを実現する電荷の同時注入による不良セルの修復技術
電子情報通信学会, 集積回路研究会, 信学技報 , 112(15):ICD2012-12 2012(Apr.)
Author:宮地幸祐, 鈴木利一, 宮野信治, 竹内健


標準CMOSプロセス単体トランジスタを用いたドレイン側アシスト消去動作による局所電子注入組み込みフラッシュメモリ
第59回春季応用物理学会学術講演会 , :16p-A1-13 2012(Mar.)
Author:宮地幸祐, 篠塚康大, 竹内健


強誘電体NANDフラッシュメモリの履歴効果と高速・高信頼性SSD向けのための書き戻し消去法
第59回春季応用物理学会学術講演会 , :16p-A1-14 2012(Mar.)
Author:宮地幸祐, 矢島亮児, 畑中輝義, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健


バルクとSOI NANDフラッシュメモリセルにおける微細化による短チャネル効果と書き込み禁止時チャネル昇圧リークへの影響
第59回春季応用物理学会学術講演会 , :16p-A5-2 2012(Mar.)
Author:宮地幸祐, 洪慶麟, 竹内健


局所電子注入非対称パスゲートトランジスタを用いたSRAMにおけるVTHシフト自己収束機構としきい値電圧付近VWL注入手法
第59回春季応用物理学会学術講演会 , :16p-A1-9 2012(Mar.)
Author:宮地幸祐, 篠塚康大, 宮野信治, 竹内健


ベリファイ付き1kb強誘電体NANDフラッシュメモリ
第59回春季応用物理学会学術講演会 , :16p-A1-15 2012(Mar.)
Author:戸井田明俊, 宮地幸祐, 厳康, ジャンシージェン, レバンハイ, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健


A 6T-SRAM with a Carrier Injection Scheme to Pinpoint and Repair Fails that Achieves 57% Faster Read and 31% Lower Read Energy
IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) , :232-233 2012(Feb.)
Author:Kousuke Miyaji, Toshikazu Suzuki, Shinji Miyano and Ken Takeuchi


BulkとSOI NANDフラッシュメモリセルにおける短チャネル効果とチャネル昇圧リークの微細化限界の検討
電子情報通信学会, 集積回路研究会, 信学技報 , 111(281):SDM2011-125 2011(Nov.)
Author:宮地幸祐, 洪慶麟, 竹内健


Pushing Scaling Limit Due to Short Channel Effects and Channel Boosting Leakage from 13nm to 8nm with SOI NAND Flash Memory Cells
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) , :128-129 2011(Sep.)
Author:Kousuke Miyaji, Chinglin Hung and Ken Takeuchi


A Zero Additional Process to Standard CMOS, 8F2, Scalable Embedded Flash Memory with Drain-side Assisted Erase Scheme
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) , :981-982 2011(Sep.)
Author:Yasuhiro Shinozuka, Kousuke Miyaji and Ken Takeuchi


50nm HfO2 ReRAM with 50-Times Endurance Enhancement by Set/Reset Turnback Pulse&Verify Scheme
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) , :1011-1012 2011(Sep.)
Author:Kazuhide Higuchi, Kousuke Miyaji, Koh Johguchi and Ken Takeuchi


Statistical VTH Shift Variation Self-Convergence Scheme Using Near Threshold VWL Injection for Local Electron Injected Asymmetric Pass Gate Transistor SRAM
IEEE Custom Integrated Circuits Conference (CICC) , :T-9 2011(Sep.)
Author:Kousuke Miyaji, Yasuhiro Shinozuka, Shinji Miyano and Ken Takeuchi


Initialize&Weak-Program Erasing Scheme for Elimination of Cell VTH Shift Variation Due to History Effect in Ferroelectric (Fe)-NAND Flash Memories
IEEESilicon Nanoelectronics Workshop , :81-82 2011(Jun.)
Author:Kousuke Miyaji, Ryoji Yajima, Shigeki Sakai, Ken Takeuchi et al.


0.5V Bit-Line-Voltage Self-Boost-Programming in Ferroelectric-NAND Flash Memory
IEEE International Memory Workshop (IMW) , :155-158 2011(May)
Author:Zhang Xizhen, Kousuke Miyaji, Mitsue Takahashi, Ken Takeuchi, and Shigeki Sakai


局所電子注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクトディスターブの抑制
電子情報通信学会, 集積回路研究会, 信学技報 , 111(6):ICD2011-13 2011(Apr.)
Author:宮地幸祐, 本田健太郎, 田中丸周平, 宮野信治, 竹内健


局所電子注入非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクトディスターブの抑制
第58回春季応用物理学会学術講演会 , :26a-KC-8 2011(Mar.)
Author:宮地幸祐, 本田健太郎, 田中丸周平, 宮野信治, 竹内健


単一セル自己昇圧法による1.0V動作,書き込み速度9.3GB/sec強誘電体NANDフラッシュSSD
第58回春季応用物理学会学術講演会 , :26a-KC-6 2011(Mar.)
Author:宮地幸祐, 野田晋司, 畑中輝義, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健


電子の局所注入による非対称パスゲートアクセストランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクト問題の除去
電子情報通信学会, 集積回路研究会, 信学技報 , 110(344):ICD2010-95 2010(Dec.)
Author:本田健太郎, 宮地幸祐, 田中丸周平, 宮野信治, 竹内健


極低電圧動作チャージトラップSRAM・強誘電体SRAM技術
応用物理学会 シンポジウム:ナノエレクトロニクス時代に向けたSRAM研究開発の最前線 , :15p-ZE-8 2010(Sep.)
Author:竹内健, 宮地幸祐, 田中丸周平, 本田健太郎, 宮野信治


ウエハ作製後の6T-SRAMにおける電子の局所注入による非対称アクセストランジスタを用いた読み出し安定性の改善
第71回秋季応用物理学会学術講演会 , :17a-ZE-8 2010(Sep.)
Author:本田健太郎, 宮地幸祐, 田中丸周, 宮野信治, 竹内健


Elimination of Half Select Disturb in 8T-SRAM by Local Injected Electron Asymmetric Pass Gate Transistor
IEEE Custom Integrated Circuits Conference (CICC) , :M-10 2010(Sep.)
Author:Kentaro Honda, Kousuke Miyaji, Shuhei Tanakamaru, Shinji Miyano and Ken Takeuchi


プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上
電子情報通信学会, 集積回路研究会, 信学技報 , 110(183):ICD2010-60 2010(Aug.)
Author:宮地幸祐, 田中丸周平, 本田健太郎, 宮野信治, 竹内健


単一セル自己昇圧法による1.0V動作,書き込み速度9.5GB/sec強誘電体NANDフラッシュSSD
電子情報通信学会, 集積回路研究会, 信学技報 , 110(183):ICD2010-54 2010(Aug.)
Author:宮地幸祐, 野田晋司, 畑中輝義, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健


作製後における電子局在注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上
電子情報通信学会, 集積回路研究会, 信学技報 , 110(90):SDM2010-44 2010(Jun.)
Author:宮地幸祐, 田中丸周平, 本田健太郎, 宮野信治, 竹内健


70% Read Margin Enhancement by VTH Mismatch Self-Repair in 6T-SRAM with Asymmetric Pass Gate Transistor by Zero Additional Cost, Post-Process, Local Electron Injection
IEEE Symposium on VLSI Circuits , :41-42 2010(Jun.)
Author:Kousuke Miyaji, Shuhei Tanakamaru, Shinji Miyano, Ken Takeuchi et al.


A 1.0V Power Supply, 9.5GByte/sec Write Speed, Single-Cell Self-Boost Program Scheme for Ferroelectric NAND Flash SSD
IEEE International Memory Workshop (IMW) , :42-45 2010(May)
Author:Kousuke Miyaji, Shinji Noda, Shigeki Sakai, Ken Takeuchi et al.


A Ferroelectric NAND Flash Memory for Low-Power and Highly Reliable Enterprise SSDs and a Ferroelectric 6T-SRAM for 0.5V Low-Power CPU and SoC
Materials Research Society (MRS) Spring Meeting 2010(Apr.)
Author:Kousuke Miyaji, Mitsue Takahashi, Shigeki Sakai, Ken Takeuchi et al.


Advanced NAND Flash Memory Devices and Solid-State Drives
Materials Research Society (MRS) Spring Meeting , :Tutorial G 2010(Apr.)
Author:Kousuke Miyaji, Ken Takeuchi


Experimental Study of Mobility in [110]- and [100]-Directed Multiple Silicon Nanowire GAA MOSFETs on (100) SOI
IEEE Symposium on VLSI Technology , :32-33 2008(Jun.)
Author:Jiezhi Chen, Takuya Saraya, Kousuke Miyaji, Toshiro Hiramoto et al.


Experimental Study on Silicon Nanowire nMOSFET and Single-Electron Transistor at Room Temperature under Uniaxial Tensile Strain
IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop , :M0930 2008(Jun.)
Author:Yeon Joo Jeong, Kousuke Miyaji and Toshiro Hiramoto


Characteristic Modulation of Silicon MOSFETs and Single Electron Transistors with a Movable Gate Electrode
IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop , :S1015 2008(Jun.)
Author:Jong Sin Park, Takuya Saraya, Kousuke Miyaji, Toshiro Hiramoto et Al.


Transport in Silicon Nanowire and Single-Electron Transistor
International Conference on Simulation of Semiconductor Devices and Processes (SISPAD) , :209-215 2007(Sep.)
Author:Toshiro Hiramoto, Kousuke Miyaji, Masaharu Kobayashi


室温動作シリコン単正孔トランジスタにおける広域拡張クーロンブロッケード特性
:8p-ZL-2 2007(Sep.)
Author:李世濬, 宮地幸祐, 平本俊郎


Novel Long-Range-Extension of Coulomb Blockade Region in Room-Temperature Operating Silicon Single-Hole Transistor
IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop , :115-116 2007(Jun.)
Author:Sejoon Lee, Kousuke Miyaji, Masaharu Kobayashi and Toshiro Hiramoto


Room Temperature Demonstration of Variable Full Width at Half Maximum of Coulomb Oscillation in Silicon Single-Hole Transistor
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) , :836-837 2006(Sep.)
Author:Kousuke Miyaji and Toshiro Hiramoto


Charge Polarity Dependence of Negative Differential Conductance in Room-Temperature Operating Silicon Single-Charge Transistors
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) , :806-807 2006(Sep.)
Author:Masaharu Kobayashi, Kousuke Miyaji and Toshiro Hiramoto


クーロン振動半値幅可変シリコン単正孔トランジスタの室温実証
:29a-ZR-11 2006(Aug.)
Author:宮地幸祐, 平本俊郎


シリコン単電子・単正孔トランジスタの負性微分コンダクタンス発現の起源に関する検討
第67回秋季応用物理学会学術講演会 , :29a-ZR-9 2006(Aug.)
Author:小林正治, 宮地幸祐, 平本俊郎


シリコン単正孔トランジスタにおける室温負性微分コンダクタンス
第53回春季応用物理学会学術講演会 , :24p-X-9 2006(Mar.)
Author:宮地幸祐, 齋藤真澄, 平本俊郎


室温動作シリコン単電子トランジスタにおける負性微分コンダクタンスの観測
第53回秋季応用物理学会学術講演会 , :24p-X-10 2006(Mar.)
Author:小林正治, 宮地幸祐, 平本俊郎


On the Accuracy of Analytical Model for Room-Temperature Operating Silicon Single-Electron Transistors with Discrete Quantum Energy Levels
International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS) , :WP7-07-06 2005(Dec.)
Author:Kousuke Miyaji, Masaharu Kobayashi, Tetsu Ohtou and Toshiro Hiramoto


Large Temperature Dependence of Negative Differential Conductance in Room-Temperature Operating Silicon Single-Electron/Single-Hole Transistor
International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS) , :TP3-03 2005(Dec.)
Author:Masaharu Kobayashi, Kousuke Miyaji, Masumi Saitoh and Toshiro Hiramoto


離散的量子準位を考慮したシリコン単電子トランジスタの解析モデル
第66回秋季応用物理学会学術講演会 , :10p-ZN-3 2005(Sep.)
Author:宮地幸祐, 齋藤真澄, 平本俊郎


Very Sharp Room-Temperature Negative Differential Conductance in Silicon Single-Hole Transistor with High Voltage Gain
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) , :166-167 2005(Sep.)
Author:Kousuke Miyaji, Masumi Saitoh and Toshiro Hiramoto


Analytical Model for Room-Temperature Operating Silicon Single-Electron Transistors with Discrete Quantum Energy Levels
IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop , :82-83 2005(Jun.)
Author:Kousuke Miyaji, Masumi Saitoh and Toshiro Hiramoto


Temperature Dependence of Off-Current in Bulk and FD SOI MOSFETs
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) , :236-237 2004(Sep.)
Author:Kousuke Miyaji, Masumi Saitoh, Toshiharu Nagumo and Toshiro Hiramoto

研究費
共同研究
2015 - 2017 , フィージビリティスタディ パッケージ内蔵パワーインダクタを用いたSSD向け三次元集積統合降圧DC-DCコンバータの研究開発 , 国内共同研究

科学研究費補助金(研究代表者)
2017 - 2018 , 超軽負荷領域を含む高効率な磁界共振型非接触給電システムの構築 , 若手研究B
2013 - 2015 , 単電子効果起因エラー耐性を有する極微細NANDフラッシュメモリシステムの構築 , 若手研究B

奨学寄附金
2016 , 体内埋め込み型医療デバイス向け小型・高効率かつ高速応答非接触給電回路システムの構築

その他公的資金
2016 - 2016 , マイチップを活用したウェアラブル発汗計の開発
研究諸活動
学術専門雑誌等編集
2016- , IEICE Transactions on Electronics
2017-2018 , IEICE Transactions on Electronics Special Section on Design Methodologies for System on a Chip
2017-2017 , IEICE Transactions on Electronics Special Section on VLSI Design and CAD Algorithms
2016-2017 , IEICE Transactions on Electronics Special Section on Design Methodologies for System on a Chip
2016-2016 , IEICE Transactions on Electronics Special Section on VLSI Design and CAD Algorithms
2015-2016 , IEICE Transactions on Electronics Special Section on Design Methodologies for System on a Chip
2015-2015 , IEICE Transactions on Electronics Special Section on VLSI Design and CAD Algorithms
2013-2013 , IEICE Transactions on Electronics Special Section on Solid-State Circuit Design - Architecture, Circuit, Device and Design Methodology
2012-2012 , IEICE Transactions on Electronics Special Section on Solid-State Circuit Design - Architecture, Circuit, Device and Design Methodology

教育活動実績

授業等
2017 , 前期 , 電子情報基礎数学
2017 , 前期 , 電気電子実験III
2017 , 後期 , 電子回路I
2017 , 後期 , IC設計
2016 , 前期 , 電子回路I
2016 , 前期 , 電気電子実験III
2016 , 後期 , IC設計
2016 , 後期 , 電気電子実験II
2016 , 後期 , CMOSアナログ集積回路設計
2015 , 前期 , 電気電子実験III
2015 , 後期 , IC設計
2015 , 後期 , 電気電子実験II
2015 , 後期 , 回路素子工学