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太子敏則  タイシ トシノリ

教員組織学術研究院(工学系)電話番号026-269-5383
教育組織工学部 電子情報システム工学科FAX番号026-269-5383
職名准教授メールアドレスtaishi@shinshu-u.ac.jp
住所〒380-8553 長野市若里4-17-1ホームページURL

プロフィール

研究分野
応用物性
結晶工学
現在の研究課題
β型酸化ガリウムの結晶成長および評価
キーワード:酸化ガリウム , 結晶成長 , 転位密度 , 電気的特性 , 2016-2018
全率固溶混晶の結晶成長および評価
キーワード:全率固溶混晶 , 結晶成長 , 傾斜組成分布 , 2013-2018
炭化ケイ素(SiC)の溶液成長に関する研究
キーワード:炭化ケイ素 , 溶液成長 , 炭素溶解 , 輸送解析 , 2012-2018
高品質ゲルマニウム単結晶成長に関する研究
キーワード:ゲルマニウム , 結晶成長 , 低転位密度 , 高強度 , 2006-2013
垂直ブリッジマン法による機能性酸化物結晶成長
キーワード:酸化物結晶 , 結晶成長 , 垂直ブリッジマン法 , 2003-2006
CZシリコン結晶成長および欠陥挙動解析
キーワード:シリコン , 結晶成長 , 引き上げ法 , 転位 , 欠陥 , 1998-2003
所属学会
所属学会
International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2021 Local Arrangement Committee Chair
応用物理学会先進パワー半導体分科会 委員
The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2022 Chair
日本学術振興会第161委員会 運営委員
応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 幹事
日本結晶成長学会 理事
日本学術振興会第145委員会 幹事/運営委員
日本フラックス成長研究会
応用物理学会シリコンテクノロジー分科会
応用物理学会結晶工学分科会
日本結晶成長学会
応用物理学会
学歴
出身大学院
2001 , 信州大学 , 工学研究科 , 材料工学専攻
1998 , 長岡技術科学大学 , 工学研究科 , 生物機能工学専攻

取得学位
博士(工学) , 信州大学
受賞学術賞
2009 , 本多記念会 第49回原田研究奨励賞
2003 , 第33回日本結晶成長学会 論文賞
2002 , 第32回日本結晶成長学会 講演奨励賞
1999 , 平成11年度日本物理学会北陸支部応用物理学会北陸・信越支部合同講演会 講演奨励賞
研究職歴等
研究職歴
2009-2011 , 信州大学カーボン科学研究所 助教
2006-2009 , 東北大学金属材料研究所 助教
2004-2006 , 信州大学教育学部産学官連携研究員
2001-2004 , 日本学術振興会特別研究員(PD)

研究活動業績

研究業績(著書・
発表論文等)
論文
タンタル酸ニオブ酸カリウムの電気光学効果とその単結晶製造技術
応用物理,88(5):341-347 2019(May 10)
Author:小松 貴幸, 太子 敏則, 小島 孝広, 笹浦 正弘


固体電解質LixLa(1-x)/3NbO3のバルク単結晶
日本結晶成長学会誌,46(1):04(1-9) 2019(Apr. 26)
Author:藤原靖幸, 太子敏則, 干川圭吾, 小浜恵一, 胡肖兵, 小林俊介, 幾原裕美, Craig Fisher, 幾原雄一, 射場英紀


The effect of the structure of seed attachment on polytype and morphology in solution growth of SiC by TSSG method
Mater. Sci. Forum,924:35-38 2018(Jun.)
Author:K. Suzuki, K. Hyun, T. Taishi


Experimental Determination of Carbon Solubility in Si0.56Cr0.4M0.04 (M=Transition Metals) Solvents for the Solution Growth of SiC
Mater. Sci. Forum,924:43-46 2018(Jun.)
Author:K. Hyun, T. Taishi, K. Teshima


Solution growth of SiC from the crucible bottom with dipping under unsaturation state of carbon in solvent
Mater. Sci. Forum,924:51-54 2018(Jun.)
Author:T. Taishi,M. Takahashi,N. Tsuchimoto,K. Suzuki, K. Hyun


垂直ブリッジマン法によるタンタル酸ニオブ酸カリウム(KTN)単結晶の育成と組成均一化
日本結晶成長学会誌,43:23-31 2016(Oct.)
Author:太子敏則、干川圭吾、小島孝広、笹浦正弘、小松貴幸


Anisotropy of ionic conduction in single-crystal LixLa(1%x)/3NbO3 solid electrolyte grown by directional solidification
Jpn. J. Appl. Phys.,55:090306-1-3 2016(Sep.)
Author:Y. Fujiwara, T. Taishi, K. Hoshikawa, K. Kohama, H. Iba


The Growth of Potassium Tantalate Niobate (KTaxNb1-xO3) Single Crystal by Vertical Bridgman Method
Additive Manufacturing and Strategic Technologies in Advanced Ceramics: Ceramic Transactions,258:105-112 2016(Aug.)
Author:T. Taishi, K. Hosokawa, K. Hoshikawa, T. Kojima, J. Osada, M. Sasaura, Y. Furukawa, T. Komatsu


Colony structure in Ce-doped Al2O3/YAG eutectic systems grown by vertical Bridgman technique
J. Cryst. Growth,448:1-5 2016(Jul.)
Author:S. Yamada, M. Yoshimura, S. Sakata, T. Taishi, K. Hoshikawa


Influence of Ge composition in the Cu2Sn1-xGexS3 thin-film photovoltaic absorber prepared by sulfurization of laminated metallic precursor
SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS,140:312-319 2015(Sep.)
Author:Htay, MT; Mandokoro, T; Seki, H; Sakaizawa, T; Momose, N; Taishi, T; Hashimoto, Y; Ito, K


The growth of Al2O3/YAG:Ce melt growth composite by the vertical Bridgman technique using an a-axis Al2O3 seed
J. Cryst. Growth,427:16-20 2015
Author:Masafumi Yoshimura, Shin-ichi Sakata, Seiya Yamada, Toshinori Taishi, Keigo Hoshikawa


Vertical Bridgman growth of sapphire crystals, with thin-neck formation process
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,401:146-149 2014(Sep. 01)
Author:Hoshikawa, K; Taishi, T; Ohba, E; Miyagawa, C; Kobayashi, T; Yanagisawa, J; Shinozuka, M


Morphology and formation mechanism of metallic inclusions in VB-grown sapphire crystals
J. Cryst. Growth,401:388-391 2014(Sep. 01)
Author:T.Taishi, T.Kobayashi, M.Shinozuka, E.Ohba, C.Miyagawa, K.Hoshikawa


Constitutional supercooling in heavily As-doped Czochralski Si crystal growth
J. Cryst. Growth,393:42-44 2014(May 01)
Author:T. Taishi, Y. Ohno, I. Yonenaga


Development of the vertical Bridgman technique for 6-inch diameter c-axis sapphire growth supported by numerical simulation
J. Cryst. Growth,402:83-89 2014
Author:C. Miyagawa, T. Kobayashi, T. Taishi, K. Hoshikawa


Growth of potassium tantalate (KTaO3) crystalsby directional solidification
J. Cryst. Growth,380:39-42 2013(Oct. 01)
Author:Toshinori Taishi, Takayuki Takenaka,Kazuya Hosokawa,Noriko Bamba,Keigo Hoshikawa


Demonstration of crack-free c-axis sapphire crystal growth using the vertical Bridgman method
J. Cryst. Growth,372:95-99 2013
Author:Chihiro Miyagawa, Takumi Kobayashi, Toshinori Taishi, Keigo Hoshikawa


Czochralski growth techniques of germanium crystals grown from a melt covered partially or fully by liquid B2O3
J. Cryst. Growth,360:47-51 2012(Dec. 01)
Author:T.Taishi, Y.Hashimoto, H.Ise, Y.Murao, T.Ohsawa and I.Yonenaga


Growth and characterization of germanium crystals from B2O3-coverd melt
,2012 3CG Collaborative Conference on Crystal Growth 2012(Dec.)
Author:T. Taishi


Fabrication of flower-shaped Bi(2)O(3) superstructure by a facile template-free process
APPLIED SURFACE SCIENCE,257(15):6577-6582 2011(May)
Author:Zhang, Li; Hashimoto, Yoshio; Taishi, Toshinori; Nakamura, Isao; Ni, Qing-Qing


Oxygen doped Ge crystals Czochralski-grown from the B2O3-fully-covered melt
Miroelectro. Eng.,88:496-498 2011(Feb.)
Author:T. Taishi, Y. Ohno, I. Yonenaga


Mild hydrothermal treatment to prepare highly dispersed multi-walled carbon nanotubes
APPLIED SURFACE SCIENCE,257(6):1845-1849 2011(Jan.)
Author:Zhang, Li; Hashimoto, Yoshio; Taishi, Toshinori; Ni, Qing-Qing


Czochralski-growth of germanium crystals containing high concentrations of oxygen impurities
J. Cryst. Growth,312:2783-2787 2010(Jun.)
Author:T. Taishi, H. Ise, Y. Murao, T. Osawa, M. Suezawa, Y. Tokumoto, Y. Ohno, K. Hoshikawa and I. Yonenaga


Behavior of dislocations due to thermal shock and critical shear stress of Si in Czochralski crystal growth
Physica B,404:4612-4615 2009(Dec.)
Author:T. Taishi, K. Hoshikawa, Y. Ohno, I. Yonenaga


Reduction of grown-in dislocation density in Ge Czochralski-grown from the B2O3-partially-covered melt
J. Cryst Growth,311:4615-4618 2009(Jun.)
Author:T. Taishi, Y. Ohno, I. Yonenaga


Generation and suppression of misfit dislocations at the seed/crystal interface in Si bulk crystal growth
Phys. Stat. Sol. (C),6:1886-1891 2009(Jun.)
Author:T. Taishi, K. Hoshikawa, Y. Ohno and I. Yonenaga


Single cyrystal growth of langataite (La3Ta0.5Ga5.5O14) by vertical Bridgman (VB) method along [21-1-0]in air and an Ar atmosphere
J. Cryst Growth,311:205-208 2008(Dec.)
Author:T. Taishi, N. Bamba, K. Hoshikawa and I. Yonenaga


High-temperature strength and dislocation mobility in the wide band-gap ZnO: Comparison with various semiconductors
J. Appl. Phys.,103:093502(1-4) 2008(May)
Author:I. Yonenaga, H. Koizumi, Y. Ohno and T. Taishi


無ネック無転位シリコン単結晶成長
日本結晶成長学会誌,34:17-22 2008(Apr.)
Author:干川圭吾, 太子敏則, 黄新明


Si multicrystals grown by the Czochralski method with multi-seeds
J. Cryst. Growth,307:466-471 2007(Jul.)
Author:T. Hoshikawa, T. Taishi, M. Yamatani, K. Shirakawa X. Huang, S. Uda and K. Hoshikawa


Influence of crystalline defects in Czochralski-grown Si multicrystal on minority carrier lifetime
J. Cryst. Growth,306:452-457 2007(May)
Author:T. Taishi, T. Hoshikawa, M. Yamatani, K. Shirakawa X. Huang, S. Uda and K. Hoshikawa


Single-crystal growth of langasite (La3Ga5SiO14) by the vertical Bridgman (VB) method in air and in an Ar atmosphere
J. Cryst. Growth,304:4-6 2007(Mar.)
Author:T. Taishi, T. Hayashi, T. Fukami, K. Hoshikawa and I. Yonenaga


学会発表
垂直ブリッジマン(VB)法による バルク単結晶・混晶の育成と特徴
第41回結晶成長討論会 2018(Sep. 05)
Author:太子敏則


TSSG法によるSiC溶液成長における溶媒中の炭素の溶解・輸送解析と結晶品質に与える影響
第12回日本フラックス成長研究発表会 2017(Dec. 07)
Author:太子敏則


Solution growth of SiC -Unique approach by vertical-Bridgman-like technique-
Third International Workshop on Advanced Functional Nanomaterials 2015(Dec.)
Author:Toshinori Taishi


Growth of potassium tantalate niobate (KTaxNb1-xO3: KTN) crystals by the vertical Bridgman (VB) method
11th International Conference on Ceramic Materials and Components for Energy and Environmental Applications 2015
Author:Toshinori Taishi, Kazuya Hosokawa, Keigo Hoshikawa, Takahiro Kojima, Junya Osada, Masahiro Sasaura, Yasunori Furukawa, Takayuki Komatsu


SiC溶液成長 ~溶剤添加効果と炭素の溶解・輸送・成長のバランス~
応用物理学会第1回先進パワー半導体分科会 2014(Nov. 20)
Author:太子敏則、日根賢人


B2O3 を用いた引き上げ法による高品質・高強度Ge 単結晶の育成
第43回結晶成長討論会:06aB06 2013(Nov.)
Author:太子敏則、米永一郎、干川圭吾


成長開始直後に決まるバルク結晶の品質 ~ CZシリコン単結晶成長における種子づけと転位挙動 ~
第37回結晶成長討論会 2013(Sep.)
Author:太子敏則、干川圭吾


液状酸化ホウ素(B2O3)を用いた無転位・酸素添加ゲルマニウム結晶の育成
まてりあ , 50(10):431 2011(May)
Author:太子敏則、米永一郎


Czochralski germanium crystal growth with low dislocation density and oxygen impurities
TheForum on the Science and Technology of Silicon Materials 2010 2010(Nov.)
Author:T. Taishi


CZ-Si多結晶成長による少数キャリアライフタイム低下要因の解明
第50回応用物理学関係連合講演会 , :29a-ZG-7 2007(Mar.)
Author:太子敏則, 干川岳志, 山谷宗義, 白澤勝彦, 黄新明, 宇田聡, 干川圭吾


マルチシード法によるCZ-Si 多結晶成長と評価
日本学術振興会結晶加工と評価技術第145委員会第108回研究会 , :8 2006(Dec.)
Author:太子敏則, 干川岳志, 山谷宗義, 白澤勝彦, 黄新明, 宇田聡, 干川圭吾


Si結晶成長技術の現状と課題
第65回応用物理学関係連合講演会 , :30p-ZT-2 2006(Aug.)
Author:太子敏則, 干川圭吾

特許等知的財産
登録済特許
無転位シリコン単結晶の製造方法
ランガサイト系単結晶の作製方法及び作製装置並びにその単結晶を用いた燃焼圧センサ
低転位密度ゲルマニウム単結晶の製造方法
リチウムイオン電池用負極材料
ろ過器およびその製造方法ならびにこれを用いた金属回収方法
SiC単結晶の製造方法
SiC単結晶の製造方法
共同研究等希望テーマ
高品質ゲルマニウム単結晶成長法
無ネッキング無転位シリコン単結晶成長法
炭化ケイ素の溶液成長
放射光施設での超強力X線トポグラフィ
引き上げ法、垂直ブリッジマン法による単結晶成長

教育活動実績

授業等
2018 , 前期 , 電子回路Ⅱ
2017 , 前期 , 電子回路III
2017 , 前期 , 電子情報基礎実験
2017 , 後期 , 半導体工学I
2016 , 通年 , 結晶成長特別実験
2016 , 通年 , 結晶成長演習
2014 , 後期 , 結晶成長特論