太子 敏則 (タイシ トシノリ)
学術研究院（工学系）
工学部 電子情報システム工学科
教授
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研究キーワード
- 結晶成長, 結晶欠陥評価, β型酸化ガリウム, 機能性酸化物結晶, シリコン
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- taishi★shinshu-u.ac.jp
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受賞
論文
- Effective thermal conductivity of poly-silicon chunks and its size dependence in a melting process of silicon Czochralski crystal growth: Part 1. Temperature measurement
Michio Kida, Toshinori Taishi
Journal of Crystal Growth, 636, 127704, 2024年04月14日 - Effective thermal conductivity of poly-silicon chunks and its size dependence in a melting process of silicon Czochralski crystal growth: Part 2. Numerical simulations and comparison with measurements,
Michio Kida, Toshinori Taishi
Journal of Crystal Growth, 636, 127703, 2024年04月14日 - The effect of the decomposition of CH4 gas on polycrystalline SiC coating on SiC ceramics using Si vapor
Y. Kagami, S. Yamamoto, R. Uchida, T. Taishi
Jpn. J. Appl. Phys., 63, 02SP01, 2023年12月27日 - Evaluation of numerical simulation of constitutional supercooling during heavily Boron-Doped silicon crystal growth using Cz method
Y. Mukaiyama, Y. Fukui, T. Taishi, Y. Noda, K. Sueoka
Journal of Crystal Growth, 619, 127333, 2023年10月01日 - Lithiation/Delithiation of Silicon Heavily Doped with Boron Synthesized Using the Czochralski Process
M. Shimizu, K. Kimoto, A. Kikuchi, T. Taishi, S. Arai
Energy Adv.,, 2, 813, 2023年04月 - Line-shaped defects in β-Ga2O3 crystals grown by the vertical Bridgman (VB) method
T. Taishi, N. Kobayashi, E. Ohba, K. Hoshikawa
Jpn. J. Appl. Phys., 62, SF1025, 2023年03月 - Polycrystalline SiC coating on large-sized SiC ceramics using Si vapor
Yuuki KAGAMI, Syuuichi YAMAMOTO, Yuta YOKOBAYASHI, Ryunosuke,UCHIDA, Koki SUZUKI, Seiichi TARUTA and Toshinori TAISHI
J. Ceram. Soc. Japan, 129(12), 1-7, 2021年09月 - Dopant Effect on Lithiation/Delithiation of Highly Crystalline Silicon Synthesized Using the Czochralski Process
M. Shimizu, K. Kimoto, T. Kawai, T. Taishi, S. Arai
Appl. Energy Matter., 4, 7922, 2021年07月 - Growth of (100), (010) and (001) b-Ga2O3 single crystals by vertical Bridgman method
E. Ohba, T. Kobayashi, T. Taishi, K. Hoshikawa
J. Cryst. Growth, 556, 125990, 2021年02月 - バルク結晶育成における融液中および結晶中の温度勾配測定
太子敏則
日本結晶成長学会誌, 47(2), 47-2-01, 2020年07月 - 酸化物および化合物半導体バルク結晶成長における温度勾配
宇田聡, 川瀬智博, 太子敏則
日本結晶成長学会誌, 47(2), 47-2-05, 2020年07月 - Effect of cobalt addition to Si–Cr solvent in top-seeded solution growth
K. Hyun, S.J. Kim, T. Taishi
2020年02月 - Effect of cobalt addition to Si–Cr solvent in top-seeded solution growth
K. Hyun, S.J. Kim, T. Taishi
Applied Surface Science, 513, 145798, 2020年02月 - The effect of Al addition to a Cr solvent without molten Si on the surface morphology in a solution growth of SiC
K. Suzuki, T. Taishi
Japanese Journal of Applied Physics, 59, 025504(1-6), 2020年01月 - TSSG 法によるSiC 結晶成長における溶液中の炭素濃度の経時変化と種子づけ後の結晶品質に与える影響
太子敏則，土本直道，高橋大，玄光龍，鈴木皓己
J. Flux Growth, 14, 25-29, 2019年06月 - タンタル酸ニオブ酸カリウムの電気光学効果とその単結晶製造技術
小松 貴幸, 太子 敏則, 小島 孝広, 笹浦 正弘
応用物理, 88(5), 341-347, 2019年05月 - 固体電解質LixLa(1-x)/3NbO3のバルク単結晶
藤原靖幸, 太子敏則, 干川圭吾, 小浜恵一, 胡肖兵, 小林俊介, 幾原裕美, Craig Fisher, 幾原雄一, 射場英紀
日本結晶成長学会誌, 46(1), 04(1-9), 2019年04月 - Solution growth of SiC from the crucible bottom with dipping under unsaturation state of carbon in solvent
T. Taishi，M. Takahashi，N. Tsuchimoto，K. Suzuki, K. Hyun
Mater. Sci. Forum, 924, 51-54, 2018年06月 - Experimental Determination of Carbon Solubility in Si0.56Cr0.4M0.04 (M=Transition Metals) Solvents for the Solution Growth of SiC
K. Hyun, T. Taishi, K. Teshima
Mater. Sci. Forum, 924, 43-46, 2018年06月 - The effect of the structure of seed attachment on polytype and morphology in solution growth of SiC by TSSG method
K. Suzuki, K. Hyun, T. Taishi
Mater. Sci. Forum, 924, 35-38, 2018年06月 - 垂直ブリッジマン法によるタンタル酸ニオブ酸カリウム（KTN）単結晶の育成と組成均一化
太子敏則、干川圭吾、小島孝広、笹浦正弘、小松貴幸
日本結晶成長学会誌, 43, 23-31, 2016年10月 - Anisotropy of ionic conduction in single-crystal LixLa(1%x)/3NbO3 solid electrolyte grown by directional solidification
Y. Fujiwara, T. Taishi, K. Hoshikawa, K. Kohama, H. Iba
Jpn. J. Appl. Phys., 55, 090306-1-090306-3, 2016年09月 - The Growth of Potassium Tantalate Niobate (KTaxNb1-xO3) Single Crystal by Vertical Bridgman Method
T. Taishi, K. Hosokawa, K. Hoshikawa, T. Kojima, J. Osada, M. Sasaura, Y. Furukawa, T. Komatsu
Additive Manufacturing and Strategic Technologies in Advanced Ceramics: Ceramic Transactions, 258, 105-112, 2016年08月 - Colony structure in Ce-doped Al2O3/YAG eutectic systems grown by vertical Bridgman technique
S. Yamada, M. Yoshimura, S. Sakata, T. Taishi, K. Hoshikawa
J. Cryst. Growth, 448, 1-5, 2016年07月 - Influence of Ge composition in the Cu2Sn1-xGexS3 thin-film photovoltaic absorber prepared by sulfurization of laminated metallic precursor
Htay, MT; Mandokoro, T; Seki, H; Sakaizawa, T; Momose, N; Taishi, T; Hashimoto, Y; Ito, K
SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, 140, 312-319, 2015年09月
- The growth of Al2O3/YAG:Ce melt growth composite by the vertical Bridgman technique using an a-axis Al2O3 seed
Masafumi Yoshimura, Shin-ichi Sakata, Seiya Yamada, Toshinori Taishi, Keigo Hoshikawa
J. Cryst. Growth, 427, 16-20, 2015年 - Morphology and formation mechanism of metallic inclusions in VB-grown sapphire crystals
T.Taishi, T.Kobayashi, M.Shinozuka, E.Ohba, C.Miyagawa, K.Hoshikawa
J. Cryst. Growth, 401, 388-391, 2014年09月01日 - Vertical Bridgman growth of sapphire crystals, with thin-neck formation process
Hoshikawa, K; Taishi, T; Ohba, E; Miyagawa, C; Kobayashi, T; Yanagisawa, J; Shinozuka, M
Journal of Crystal Growth, 401, 146-149, 2014年09月 - Constitutional supercooling in heavily As-doped Czochralski Si crystal growth
T. Taishi, Y. Ohno, I. Yonenaga
J. Cryst. Growth, 393, 42-44, 2014年05月01日 - Development of the vertical Bridgman technique for 6-inch diameter c-axis sapphire growth supported by numerical simulation
C. Miyagawa, T. Kobayashi, T. Taishi, K. Hoshikawa
J. Cryst. Growth, 402, 83-89, 2014年 - Growth of potassium tantalate (KTaO3) crystalsby directional solidification
Toshinori Taishi, Takayuki Takenaka,Kazuya Hosokawa,Noriko Bamba,Keigo Hoshikawa
J. Cryst. Growth, 380, 39-42, 2013年10月01日 - Demonstration of crack-free c-axis sapphire crystal growth using the vertical Bridgman method
Chihiro Miyagawa, Takumi Kobayashi, Toshinori Taishi, Keigo Hoshikawa
J. Cryst. Growth, 372, 95-99, 2013年 - Czochralski growth techniques of germanium crystals grown from a melt covered partially or fully by liquid B2O3
T.Taishi, Y.Hashimoto, H.Ise, Y.Murao, T.Ohsawa and I.Yonenaga
J. Cryst. Growth, 360, 47-51, 2012年12月01日 - Growth and characterization of germanium crystals from B2O3-coverd melt
T. Taishi
2012 3CG Collaborative Conference on Crystal Growth, 2012年12月 - Fabrication of flower-shaped Bi(2)O(3) superstructure by a facile template-free process
Zhang, Li; Hashimoto, Yoshio; Taishi, Toshinori; Nakamura, Isao; Ni, Qing-Qing
Applied Surface Science, 257(15), 6577-6582, 2011年05月 - Oxygen doped Ge crystals Czochralski-grown from the B2O3-fully-covered melt
T. Taishi, Y. Ohno, I. Yonenaga
Miroelectro. Eng., 88, 496-498, 2011年02月, 査読有り - Mild hydrothermal treatment to prepare highly dispersed multi-walled carbon nanotubes
Zhang, Li; Hashimoto, Yoshio; Taishi, Toshinori; Ni, Qing-Qing
Applied Surface Science, 257(6), 1845-1849, 2011年01月 - Czochralski-growth of germanium crystals containing high concentrations of oxygen impurities
T. Taishi, H. Ise, Y. Murao, T. Osawa, M. Suezawa, Y. Tokumoto, Y. Ohno, K. Hoshikawa and I. Yonenaga
J. Cryst. Growth, 312, 2783-2787, 2010年06月, 査読有り - Behavior of dislocations due to thermal shock and critical shear stress of Si in Czochralski crystal growth
T. Taishi, K. Hoshikawa, Y. Ohno, I. Yonenaga
Physica B, 404, 4612-4615, 2009年12月, 査読有り - Generation and suppression of misfit dislocations at the seed/crystal interface in Si bulk crystal growth
T. Taishi, K. Hoshikawa, Y. Ohno and I. Yonenaga
Phys. Stat. Sol. (C), 6, 1886-1891, 2009年06月, 査読有り - Reduction of grown-in dislocation density in Ge Czochralski-grown from the B2O3-partially-covered melt
T. Taishi, Y. Ohno, I. Yonenaga
J. Cryst Growth, 311, 4615-4618, 2009年06月, 査読有り - Single cyrystal growth of langataite (La3Ta0.5Ga5.5O14) by vertical Bridgman (VB) method along [21-1-0]in air and an Ar atmosphere
T. Taishi, N. Bamba, K. Hoshikawa and I. Yonenaga
J. Cryst Growth, 311, 205-208, 2008年12月, 査読有り - High-temperature strength and dislocation mobility in the wide band-gap ZnO: Comparison with various semiconductors
I. Yonenaga, H. Koizumi, Y. Ohno and T. Taishi
J. Appl. Phys., 103, 093502(1-4), 2008年05月, 査読有り - 無ネック無転位シリコン単結晶成長
干川圭吾, 太子敏則, 黄新明
日本結晶成長学会誌, 34, 17-22, 2008年04月, 査読有り - Si multicrystals grown by the Czochralski method with multi-seeds
T. Hoshikawa, T. Taishi, M. Yamatani, K. Shirakawa X. Huang, S. Uda and K. Hoshikawa
J. Cryst. Growth, 307, 466-471, 2007年07月, 査読有り - Influence of crystalline defects in Czochralski-grown Si multicrystal on minority carrier lifetime
T. Taishi, T. Hoshikawa, M. Yamatani, K. Shirakawa X. Huang, S. Uda and K. Hoshikawa
J. Cryst. Growth, 306, 452-457, 2007年05月, 査読有り - Single-crystal growth of langasite (La3Ga5SiO14) by the vertical Bridgman (VB) method in air and in an Ar atmosphere
T. Taishi, T. Hayashi, T. Fukami, K. Hoshikawa and I. Yonenaga
J. Cryst. Growth, 304, 4-6, 2007年03月, 査読有り
書籍等出版物
講演・口頭発表等
- 垂直ブリッジマン(VB)法とβ-Ga2O3 単結晶育成
太子敏則
ワイドギャップ半導体学会（WideG） 特別公開シンポジウム, 2023年09月07日, 招待有り - Segregation and constitutional supercooling in heavily doped silicon single crystal growth by Czochralski method
Toshinori Taishi
The 9th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies,, 2023年06月05日, 招待有り - バルク単結晶およびその育成技術からの新たな研究アプローチ
太子敏則
応用物理学会北陸・信越支部 第5回有機無機シンポジウム, 2020年11月27日, 招待有り - 垂直ブリッジマン（VB）法による バルク単結晶・混晶の育成と特徴
太子敏則
第4１回結晶成長討論会, 2018年09月05日 - TSSG法によるSiC溶液成長における溶媒中の炭素の溶解・輸送解析と結晶品質に与える影響
太子敏則
第12回日本フラックス成長研究発表会, 2017年12月07日 - Solution growth of SiC -Unique approach by vertical-Bridgman-like technique-
Toshinori Taishi
Third International Workshop on Advanced Functional Nanomaterials, 2015年12月 - Growth of potassium tantalate niobate (KTaxNb1-xO3: KTN) crystals by the vertical Bridgman (VB) method
Toshinori Taishi, Kazuya Hosokawa, Keigo Hoshikawa, Takahiro Kojima, Junya Osada, Masahiro Sasaura, Yasunori Furukawa, Takayuki Komatsu
11th International Conference on Ceramic Materials and Components for Energy and Environmental Applications, 2015年 - SiC溶液成長 ～溶剤添加効果と炭素の溶解・輸送・成長のバランス～
太子敏則、日根賢人
応用物理学会第1回先進パワー半導体分科会, 2014年11月20日 - B2O3 を用いた引き上げ法による高品質・高強度Ge 単結晶の育成
太子敏則、米永一郎、干川圭吾
第43回結晶成長討論会 06aB06, 2013年11月 - 成長開始直後に決まるバルク結晶の品質 ~ CZシリコン単結晶成長における種子づけと転位挙動 ~
太子敏則、干川圭吾
第37回結晶成長討論会, 2013年09月 - 液状酸化ホウ素（B2O3）を用いた無転位・酸素添加ゲルマニウム結晶の育成
太子敏則、米永一郎
まてりあ 50 10 431, 2011年05月 - Czochralski germanium crystal growth with low dislocation density and oxygen impurities
T. Taishi
TheForum on the Science and Technology of Silicon Materials 2010, 2010年11月 - CZ-Si多結晶成長による少数キャリアライフタイム低下要因の解明
太子敏則, 干川岳志, 山谷宗義, 白澤勝彦, 黄新明, 宇田聡, 干川圭吾
第50回応用物理学関係連合講演会, 2007年03月, 招待有り - マルチシード法によるCZ-Si 多結晶成長と評価
太子敏則, 干川岳志, 山谷宗義, 白澤勝彦, 黄新明, 宇田聡, 干川圭吾
日本学術振興会結晶加工と評価技術第145委員会第108回研究会, 2006年12月, 招待有り - Ｓｉ結晶成長技術の現状と課題
太子敏則, 干川圭吾
第65回応用物理学関係連合講演会, 2006年08月, 招待有り
所属学協会
- 2023年04月
応用物理学会 半導体の結晶成長と加工および評価に関する産学連携委員会 - 2019年08月
International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2021 Local Arrangement Committee Chair - 2019年04月
応用物理学会先進パワー半導体分科会 幹事 - 2018年11月
The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2024 Chair - 2018年01月 - 2022年03月
日本学術振興会第161委員会 運営委員 - 2017年04月
応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 幹事 - 2016年04月
日本結晶成長学会 理事 - 2012年10月 - 2023年03月
日本学術振興会第145委員会 幹事/運営委員 - 2007年04月
日本フラックス成長研究会 - 2002年07月
応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 - 2002年04月
日本学術振興会第R032産業イノベーションのための結晶成長委員会 運営委員 - 2001年07月
応用物理学会結晶工学分科会 - 1999年07月
日本結晶成長学会 - 1999年03月
応用物理学会
共同研究・競争的資金等の研究課題
- CZシリコン結晶成長における組成的過冷却および転位挙動評価
2021年 - 2025年 - Siを含まない金属溶媒を用いた再結晶によるSiC溶液成長と大形・長尺化
科学研究費補助金, 基盤研究(B)
2020年 - 2022年 - 多結晶SiCコーティングに関する研究
2019年 - 2022年 - β型酸化ガリウムの結晶成長および評価
2016年 - 2025年 - Si・C溶質が連続供給される溶剤金属からの改良TSSG法によるSiC溶液成長
科学研究費補助金, 基盤研究(C)
2016年 - 2018年 - 全率固溶混晶の結晶成長および評価
2013年 - 2018年 - 炭化ケイ素（SiC）の溶液成長に関する研究
2012年 - 2022年 - 酸化ホウ素で覆われた融液からのゲルマニウム結晶成長における酸素の輸送機構の解明
科学研究費補助金, 若手研究(A)
2010年 - 2012年 - 引き上げ法ゲルマニウム単結晶成長における成長時導入欠陥の形成挙動・機構の解明
科学研究費補助金, 若手研究(B)
2008年 - 2009年 - 高品質ゲルマニウム単結晶成長に関する研究
2006年 - 2013年 - 垂直ブリッジマン法による機能性酸化物結晶成長
2003年 - 2006年 - CZシリコン結晶成長および欠陥挙動解析
1998年 - 2003年
