Higuchi Masahiko
Academic Assembly School of Science and Technology Institute of Science
Faculty of Science Department of Science Course of Physics
Professor
Researcher Information
Field Of Study
TEL
- 0263-37-2459
Mail Address
- higuchi★shinshu-u.ac.jp
Career
Research activity information
Paper
- Electronic structure and the Fermi surface of UC and UGe3
T. Maehira, M. Higuchi, E. Yamamoto, Y. Onuki and A. Hasegawa
J. Phys. Soc. Jpn., 70 Suppl., 43, 2001, Refereed - Quasi-two dimensional Fermi surfaces in rare earth and uranium compounds; UX2, CeTIn5 and UTGa5
Y. Onuki, D. Aoki, P. Wisniewski, Y. Tokiwa, H. Shishido, S. Ikeda, Y. Inada, R. Settai, H. Harima, E. Yamamoto, Y. Haga, T. Maehira, M. Higuchi, A. Hasegawa and H. Yamagami
Acta Phys. Pol. B, 32, 3273, 2001, Refereed
Books and other publications
- 密度汎関数法の発展-マテリアルデザインへの応用-
樋口雅彦 他 22名共著, Joint work
丸善, Sep. 2011Research Themes
- 「非摂動磁場を含んだ相対論的強束縛近似法」によるカタストロフィック現象の研究
科学研究費補助金, 学術変革領域研究(A)
2024 - 2026 - 超伝導のための対密度汎関数理論の開発
科学研究費補助金, 基板研究(C)
2023 - 2026 - 第一原理計算手法による超伝導混合状態のドハース‐ファンアルフェン効果の研究
科学研究費補助金, 基盤研究(C)
2018 - 2021 - 磁場効果を取り込んだ第一原理計算手法の開発とそれを用いた磁気現象の解析
科学研究費補助金, 基盤研究(C)
2018 - 2021 - 強相関電子系のための対密度汎関数理論
科学研究費補助金, 基盤研究(C)
2014 - 2017 - 超伝導臨界磁場と転移温度を予測する電流密度汎関数理論の開発
科学研究費補助金, 基盤研究(C)
2014 - 2016 - メタマテリアルのための動的電流密度汎関数理論の構築
科学研究費補助金, 新学術領域
2013 - 2014 - 拡張された制限つき探索理論の電流誘起系への適用
科学研究費補助金, 基盤研究(C)
2011 - 2013 - 対密度汎関数理論の構築および有用性の実証
科学研究費補助金, 基盤研究(C)
2010 - 2013 - 拡張された制限つき探索理論を用いた新しいバンド計算手法の研究
科学研究費補助金, 基盤研究(C)
2007 - 2010 - メタマテリアルによるテラヘルツ電磁波の制御
科学研究費補助金, 萌芽研究
2006 - 2008 - 密度汎関数法に基づく新しい有効多電子理論の開発
科学研究費補助金, 特定領域
2005 - 2008 - 電流磁気効果を用いた超高速電子デバイス
受託研究, 科学技術振興機構(JST)
2003 - 2005 - 局所密度近似を超えた新しいバンド計算手法の研究
科学研究費補助金, 奨励研究(A)
2000 - 2001 - Development of the first-principles method for condensed matters
Industrial Property Rights
- 応力補償型シュード・モルフィック高電子移動度トランジスタ, 3000489, Patent right
- Current Amplifying Element and Current Amplification Method (Euro Patent), EP2048714B1, Patent right
- Current Amplifying Element and Current Amplification Method (US patent), US7,902,919, US 2010/0001791 A1, Patent right
- 電流増幅素子および電流増幅方法, 5283119, PCT/JP2007/065141, Patent right
- 電界効果トランジスタ, 4214248, 2003-24707, Patent right