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上村 喜一  カミムラ キイチ

教員組織電話番号
教育組織工学部FAX番号
職名特任教授 名誉教授メールアドレス
住所ホームページURL

更新日:2020/10/26

プロフィール

研究分野
半導体工学(半導体薄膜、半導体界面、半導体素子)
現在の研究課題
半導体薄膜の作製と電子素子への応用

半導体・絶縁膜界面特性の解析と応用

所属学会
所属学会
応用物理学会
電気学会
電子情報通信学会
IEEE
学歴
出身大学院
1977 , 東京工業大学 , 理工学研究科

出身学校・専攻等(大学院を除く)
1972 , 新潟大学 , 工学部

取得学位
工学博士
研究職歴等
研究職歴
1999- , 信州大学(工学部) 教授
1983-1999 , 信州大学(工学部) 助教授
1977-1983 , 東京工芸大学(工学部) 講師

研究活動業績

研究業績(著書・
発表論文等)
著書
基礎電子回路
朝倉書店 2012(Oct. 15)
Author:上村喜一


基礎半導体工学
朝倉書店 1996
Author:國岡昭夫/上村喜一


論文
Plasma Nitridation of 4H-SiC by Glow Discharge of N2/H2 Mixed Gases
Materials Science Forum,821-823:504-507 2015
Author:Y. Akahane, K. Kimura, T. Kano, Y. Watanabe, T. Yamakami, S. Fujimaki, K. Kamimura,


Preparation and Characterization of Nitridation Layer on 4H SiC (0001) Surface by Direct Plasma Nitridation
Materials Science Forum,778-780:631-634 2014
Author:Y. Akahane, T. Kano, K. Kimura, H. Komatsu, Y. Watanabe, T. Yamakami, K. Kamimura,


Preparation and Characterization of Deposited Tetraethylorthosilicate-SiO2/SiC MIS Structure
Materials Science Forum,740-742:805-808 2013
Author:M. Hemmi, T. Sakai, T. Yamakami, R. Hayashibe, K. Kamimura,


Model Calculation for the Field Enhancement Factor of Carbon Nanowall Array
IEICE Trans. Electronics,,E94-C(12):1867-1871 2011(Dec.)
Author:Tomohiko Yamakami, Masahiro Yamashita, Rinpei Hayashibe, Kiichi Kamimura


Influence of Interface Nitride Layer on Electrical Characteristics of SiO2/Nitride/SiC MIS Diode
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,50(1):01BG02 2011(Jan.)
Author:Tomohiko Yamakami, Shinichiro Suzuki, Mitsunori Henmi, Yusuke Murata, Rinpei Hayashibe and Kiichi Kamimura


Interface State Density between Direct Nitridation Layer and SiC Estimated from Current Voltage Characteristics of MIS Schottky Diode
IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS,E92C(12):1470-1474 2009(Dec.)
Author:Kamimura, Kiichi; Shiozawa, Hiroaki; Yamakami, Tomohiko; Hayashibe, Rinpei


Effect of Series Resistance on Field Emission Current
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,48(9):098006 2009(Sep.)
Author:Kamimura, Kiichi; Yamakami, Tomohiko


Characterization of polycrystalline SiC films grown by HW-CVD using silicon tetrafluoride
THIN SOLID FILMS,516(5):637-640 2008
Author:Abe, K; Nagasaka, Y; Kida, T; Yamakami, T; Hayashibe, R; Kamimura, K


Characterization of metal-inaulator-semiconductor chapacitors with insulating nitride films grown on 4H-SiC
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,47(1):676-678 2008
Author:Ishida Y; Chen C; Haguhara M; Yamakami T; Hayashibe R; Abe K; Kamimura K


Growth and characterization of SiC films by hot-wire chemical vapor deposition at low substrate temperature using SiF4/CH4/H2 mixture
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,47(1):566-568 2008
Author:Kida T; Nagasaka Y; Sakurai T; Yamakami T; Hayashibe R; Abe K; Kamimura K


Characterization of Al-based insulating films fabricated by physical vapor deposition
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,47(1):609-611 2008
Author:Nakakuki M; Shiono A; Kobayashi I; Tajima N; Yamakami T; Hayashibe R; Abe K; Kamimura K; Obata M; Miyamoto M


リアクティブスパッタ法によるTaN_x薄膜抵抗体の作製と電極との接触抵抗の評価(電子材料)
電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス,J86-C(11):1184-1190 2003
Author:小畑元樹/作田輝行/林部林平/上村喜一


伝送線路モデル(TLM)による高精度低抵抗抵抗器の電極接触抵抗の評価
電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス,J84-C(6):494-499 2001
Author:上村喜一/岡田伸介/中尾眞人/小沼義治/山下昌三


Preparation and Thermoelectric Property of Boron Thin Film
JOURNAL OF SOLID STATE CHEMISTRY,154(1):153-156 2000
Author:K. Kamimura/ Y. Yoshimura/ T. Nagaoka/ M. Nakao/ Y. Onuma/ M. Makimura

教育活動実績

授業等
2002 , 電子回路演習
2002 , 電気電子工学設計製図
2002 , 回路素子工学