浦上 法之 (ウラカミ ノリユキ)
学術研究院（工学系）
工学部 電子情報システム工学科
准教授
研究者情報
研究キーワード
- 層状物質, 二次元物質
メールアドレス
- urakami★shinshu-u.ac.jp
経歴
研究活動情報
論文
- Bulk photovoltaic effect of an alpha-phase indium selenide (α-In2Se3) crystal along the out-of-plane direction
Noriyuki Urakami ; Sho Ozaki; Yoshio Hashimoto
Applied Physics Letters, 125, 073102, 2024年
筆頭著者, 責任著者
- Layered carbon nitride films deposited under an oxygen-containing atmosphere and their electronic properties
Higuchi, Kota; Tachibana, Masaki; Urakami, Noriyuki ; Hashimoto Yoshio;
AIP Advances, 14(2), 025047, 2024年
責任著者 - Schottky barrier diode consisting of van der Waals heterojunction of MoS2 film and PtCoO2 contact
Urakami, Noriyuki; Fukai, Masaya; Hashimoto, Yoshio;
SOLID-STATE ELECTRONICS, 207, 108685, 2023年
筆頭著者, 責任著者 - Thermal chemical vapor deposition of layered carbon nitride films under a hydrogen gas atmosphere
Urakami, Noriyuki; Takashima, Kensuke; Shimizu, Masahiro; Hashimoto, Yoshio;
CrystEngComm, 25(5), 877-883, 2023年
筆頭著者, 責任著者 - Fabrication of a layered gallium selenide photodetector array via oxygen plasma etching
Urakami, Noriyuki; Nakakura, Shinya; Hashimoto, Yoshio;
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 16(5), 056503, 2023年
筆頭著者, 責任著者 - Solid-source vapor growth and optoelectronic properties of arsenic-based layered group-IV monopnictides
Kagami, Shu; Urakami, Noriyuki; Suzuki, Yuichiro; Hashimoto, Yoshio;
CrystEngComm, 24(22), 4085-4092, 2022年
責任著者 - Oxidation of tantalum disulfide (TaS2) films for gate dielectric and process design of two-dimensional field-effect device
Takeuchi, Hayate; Urakami, Noriyuki; Hashimoto, Yoshio;
Nanotechnology, 33(37), 375204, 2022年
責任著者 - Electrical Properties in Ta2NiSe5 Film and van der Waals Heterojunction
Fukai, Masaya; Urakami, Noriyuki; Hashimoto, Yoshio;
COATINGS, 11(12), 1485, 2021年12月
責任著者 - Demonstration of electronic devices in graphitic carbon nitride crystalline film
Urakami, Noriyuki; Ogihara, Kohei; Futamura, Hatsuki; Takashima, Kensuke; Hashimoto, Yoshio;
AIP Advances, 11(7), 2021年07月
筆頭著者, 責任著者 - Solid-source vapor growth of rectangular germanium arsenide (GeAs) film
Suzuki, Yuichiro; Urakami, Noriyuki; Hashimoto, Yoshio;
Materials Letters, 283, 2021年01月
責任著者 - Electronic transport and device application of crystalline graphitic carbon nitride film
Takashima, Kensuke; Urakami, Noriyuki; Hashimoto, Yoshio;
Materials Letters, 281, 2020年12月
責任著者 - Photoluminescence of Layered Semiconductor Materials for Emission-Color Conversion of Blue Micro Light-Emitting Diode (mu LED)
Tsuboi, Yuma; Urakami, Noriyuki; Hashimoto, Yoshio;
COATINGS, 10(10), 985, 2020年10月
責任著者 - Crystalline trigonal selenium flakes grown by vapor deposition and its photodetector application
Suzuki, Yuichiro; Doi, Fumiaki; Urakami, Noriyuki; Hashimoto, Yoshio;
Materials Letters, 275, 128207, 2020年09月
責任著者 - Kinetics Study and Degradation Analysis through Raman Spectroscopy of Graphite as a Negative-Electrode Material for Potassium-Ion Batteries
Shimizu, Masahiro; Koya, Taro; Nakahigashi, Atsuhito; Urakami, Noriyuki; Yamakami, Tomohiko; Arai, Susumu;
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 124(24), 13008-13016, 2020年06月 - Chemical Vapor Deposition of Boron-Incorporated Graphitic Carbon Nitride Film for Carbon-Based Wide Bandgap Semiconductor Materials
Urakami, Noriyuki; Kosaka, Maito; Hashimoto, Yoshio;
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 257(2), 2020年02月
筆頭著者, 責任著者 - Direct growth of NbSe2 and TiSe2 thin flakes via deposited film selenization
Hachiya, Ren; Urakami, Noriyuki; Hashimoto, Yoshio;
Japanese Journal of Applied Physics, 59, 2020年
責任著者 - Thermal chemical vapor deposition and luminescence property of graphitic carbon nitride film for carbon-based semiconductor systems
Urakami, Noriyuki; Kosaka, Maito; Hashimoto, Yoshio;
Japanese Journal of Applied Physics, 58(1), 2019年01月
筆頭著者, 責任著者 - Temperature-dependent Raman spectroscopy of Cu2Sn1-xGexS3 thin films
Okamura, Takayoshi; Htay, Myo Than; Yamaguchi, Kohei; Urakami, Noriyuki; Momose, Noritaka; Ito, Kentaro; Hashimoto, Yoshio;
Japanese Journal of Applied Physics, 57(8), 2018年08月 - Epitaxial growth of ReS2(001) thin film via deposited-Re sulfurization
Urakami, Noriyuki; Okuda, Tetsuya; Hashimoto, Yoshio;
Japanese Journal of Applied Physics, 57(2), 2018年02月
筆頭著者, 責任著者 - Formation of graphitic carbon nitride and boron carbon nitride film on sapphire substrate
Kosaka, Maito; Urakami, Noriyuki; Hashimoto, Yoshio;
Japanese Journal of Applied Physics, 57(2), 2018年02月
責任著者 - Molecular-beam epitaxy growth of dilute GaAsN alloys by surface nitridation
Urakami, Noriyuki; Yamane, Keisuke; Sekiguchi, Hiroto; Okada, Hiroshi; Wakahara, Akihiro;
Journal of Crystal Growth, 435, 19-23, 2016年
筆頭著者 - III-V-N Compounds for Multi-Junction Solar Cells on Si
Yamane, K (Yamane, Keisuke) ; Urakami, N (Urakami, Noriyuki) ; Sekiguchi, H (Sekiguchi, Hiroto) ; Wakahara, A (Wakahara, Akihiro)
2014 IEEE 40TH PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC), 2792-2796, 2014年06月, 査読有り - Growth of dilute BGaP alloys by molecular beam epitaxy
Urakami, N.; Fukami, F.; Sekiguchi, H.; Okada, H.; Wakahara, A.;
Journal of Crystal Growth, 378, 96-99, 2013年
筆頭著者 - Annealing behavior on luminescence properties of self-assembled InGaAsN/GaP quantum dots
Urakami, N.; Umeno, K.; Furukawa, Y.; Fukami, F.; Mitsuyoshi, S.; Okada, H.; Yonezu, H.; Wakahara, A.
PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, 8(2), 263-265, 2011年02月, 査読有り
筆頭著者 - Analysis of quantum levels for self-assembled InGaAsN/GaP quantum dots
Fukami, F.; Umeno, K.; Furukawa, Y.; Urakami, N.; Mitsuyoshi, S.; Okada, H.; Yonezu, H.; Wakahara, A.
PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, 8(2), 322-324, 2011年02月, 査読有り - Electrical and luminescence properties of Mg-doped p-type GaPN grown by molecular beam epitaxy
Mitsuyoshi, S.; Umeno, K.; Furukawa, Y.; Urakami, N.; Wakahara, A.; Yonezu, H.
PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, 7(10), 2498-2501, 2010年09月, 査読有り - Formation of self-assembled InGaAsN/GaP quantum dots by molecular-beam epitaxy
Umeno, K.; Furukawa, Y.; Urakami, N.; Noma, R.; Mitsuyoshi, S.; Wakahara, A.; Yonezu, H.;
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 42(10), 2772-2776, 2010年09月 - Growth and luminescence characterization of dilute InPN alloys grown by molecular beam epitaxy
Umeno, K.; Furukawa, Y.; Urakami, N.; Mitsuyoshi, S.; Yonezu, H.; Wakahara, A.; Ishikawa, F.; Kondow, M.;
Journal of Vacuum Science & Technology B, 28(3), 2010年05月 - Effects of Mg doping on the electrical and luminescence characterizations of p-type GaAsN alloys grown by MBE
Umeno, K.; Furukawa, Y.; Urakami, N.; Mitsuyoshi, S.; Yonezu, H.; Wakahara, A.;
Journal of Crystal Growth, 312(2), 231-237, 2010年
担当経験のある科目_授業
共同研究・競争的資金等の研究課題
- 層状窒化炭素膜における面内方向に沿う電荷輸送制御とノーマ リーオフ電子素子への展開
工学研究奨励援助金, 公益財団法人 服部報公会
2024年10月 - 2025年12月 - シリコンを基礎材料とした異種接合フォトダイオードの開発
助成金, 公益財団法人TAKEUCHI育英奨学会
2024年04月 - 2025年03月 - 新規 p 型二次元物質による電界効果素子の開発
研究助成, 一般財団法人信州大学工学部若里会
2024年04月 - 2025年03月 - 層状窒化炭素薄膜における室温強磁性の発現
豊田理研スカラー, 公益財団法人 豊田理化学研究所
2024年04月 - 2025年03月 - ノーマリーオフ動作二次元チャネル電子素子の開発
研究助成, 公益財団法人 中部電気利用基礎研究振興財団, A2研究
2024年04月 - 2025年03月 - 新規p型二次元チャネル材料による次世代電界効果トランジスタの設計と実証
研究助成, 公益財団法人 村田学術振興財団
2023年10月 - 2024年09月 - 層状窒化炭素膜の界面制御による電界効果素子の開発
公益財団法人 池谷科学技術振興財団
2023年04月 - 2024年03月 - 二次元半導体を利用したマイクロ発光ダイオードへの機能付与
公益財団法人 カシオ科学振興財団
2022年12月 - 2023年11月 - 窒化炭素膜への外場印加によるキャリア輸送制御と低消費電力素子への展開
公益財団法人 マツダ財団
2021年10月 - 2023年09月 - グラファイト状窒化炭素膜の半導体素子への展開
日本学術振興会 科学研究費助成事業, 若手研究
2021年04月 - 2024年03月 - グラファイト状窒化炭素の光電子素子への展開
公益財団法人 加藤科学振興会
2020年04月 - 2022年03月 - 可視光域で発光する炭素系化合物半導体シートの開発
公益財団法人 泉科学技術振興財団
2019年10月 - 2021年09月 - 可視光発光する低環境負荷新材料の開発とLEDの発光色変換の基礎検討
公益財団法人 浦上奨学会
2019年10月 - 2020年09月 - 低環境負荷半導体材料の創成に向けたグラファイト状窒化炭素のバンドギャップ制御
日本学術振興会 科学研究費助成事業, 若手研究
2019年04月 - 2021年03月 - 原子層シートによるマイクロLEDの発光色変換の基礎検討
信州大学ものづくり振興会
2019年04月 - 2020年03月 - グラファイト状窒化炭素単結晶膜のエネルギー構造解析と電子素子応用
公益財団法人 村田学術振興財団
2018年04月 - 2019年03月 - 低環境負荷光電子素子に向けた炭素系化合物半導体材料の開発
一般財団法人 信州大学工学部若里会
2018年04月 - 2019年03月 - 層状半導体ReS2薄膜への格子歪の影響調査と高性能フレキシブル電子素子の実現
公益財団法人 TAKEUCHI育英奨学会
2018年04月 - 2019年03月 - 公益財団法人 東電記念財団 国際技術交流助成
2014年 - 2014年 - 公益財団法人 村田学術振興財団 研究者海外派遣援助
2014年 - 2014年 - 一般財団法人丸文財団 国際交流助成
2013年 - 2013年
