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上野 巧  ウエノ タクミ

教員組織電話番号0268-75-5603
教育組織繊維学部FAX番号0268-75-5603
職名特任教授メールアドレスueno-t@shinshu-u.ac.jp
住所〒386-8567 長野県上田市常田3-15-1ホームページURL

プロフィール

COE・クラスタ・
研究グループ
ファイバーイノベーション・インキュベーター(Fii)施設
学歴
取得学位
理学(博士) , 東京工業大学

研究活動業績

研究業績(著書・
発表論文等)
書籍等出版物
フォトレジスト材料の新展開, 71-83,197-210
シーエムシー出版 2009
Abstract:フォトレジストの開発動向担当:KrF用レジストおよび電子線レジストの動向および解説


ポリイミドの高性能化と応用技術
サイエンス&テクノロジー 2008
Abstract:ポリイミドの開発動向とその応用についてのまとめ担当:半導体パッケージ用ポリイミドにおける特性と制御


電子線リソグラフィ教本, 93-114
オーム社 2007
Author:横山監修
Abstract:電子線リソグラフィ関する教科書担当:電子線レジストの作用機構および電子線レジストの解説


半導体・液晶ディスプレイフォトリソグラフィ技術ハンドブック, 320-330
リアライズ理工センター 2006
Author:石橋、上野、鵜飼ほか編集
Abstract:半導体および液晶ディスプレイにおけるリソグラフィ関するハンドブック分担:編集とバッファーコート用ポリイミドとポリベンゾオキサゾールの材料・プロセスの解説


最新ポリイミド材料とその応用技術
シーエムシー出版 2006
Abstract:ポリイミドの最新情報とポリイミドの応用技術についてのまとめ担当:実装用ポリイミドの動向


高分子材料・技術総覧, 432-435
産業技術サービスセンター 2004
Author:大武ほか122名
Abstract:高分子のリスク管理、高分子材料性質制御、高分子機能性材料の最新状況担当:半導体バッファコート材料


はじめての半導体リソグラフィ, 209-275
工業調査会 2003
Author:岡崎他1名
Abstract:半導体微細加工技術(リソグラフィ)について初心者向けに解説したもの担当:リソグラフィ技術で用いる感光性材料(レジスト)について、レジストの技術の変遷、および将来の技術動向を含めて考察し、解説した。


21世紀の有機材料の展望, 49-66
ワークショップ(ぶんしん出版) 2001
Author:有機エレクトロニクス研究会編、谷口他13名
Abstract:21世紀の有機材料の展望について担当:半導体微細加工、配線加工技術、半導体の微細加工の進展と将来予測、配線工程の課題と今後の動向について考察した。


光と化学の事典, 252-254,460-463,494-497
丸善 2001
Author:徳丸他112名
Abstract:光化学に関する、理論、実験手法、装置、先端的な応用技術に関する事典担当:フォトレジスト、電子線レジスト、リソグラフィ


新しい半導体製造プロセスと材料, 50-67
シーエムシー 2000
Author:大見忠弘監修、大見他30名
Abstract:半導体製造プロセスと材料に関して新しい動向をまとめたもの。担当:フォトレジストのなかでLSI用レジストの動向と将来技術予測。特にArFリソグラフィと電子線リソグラフィの動向とそれに対するレジストを述べた。


Microlithography, 429-514
Marcel Dekker Inc. 1998
Author:J. Sheats編、J.Sheats他14名
Abstract:装置、光学、エッチング、レジストプロセス、材料などリソグラフィ全般に関する成書。担当:Chemistry of photoresist materials(フォトレジスト材料の化学)。ジアゾナフトキノン系ポジ型フォトレジストの溶解抑制機構、化学増幅系レジストの酸発生機構についても詳細に記述した。


Microlithography Fundamentals in Semiconductor Devices and Fabrication Technology, 11-24,65-132,159-228
Marcel Dekker Inc. 1998
Author:S. Nonogaki, T. Ueno, and T. Ito
Abstract:半導体デバイス作製にかかわるリソグラフィの初心者を対象にした本。担当:露光装置(ch.2)、フォトレジスト(ch.4)、X線リソグラフィ(ch.6)、電子線リソグラフィ(ch.7)、の解説。


PLASICS AGE ENCYCLOPEDIA<進歩編>, 60-68
プラスチックス・エージ 1996
Author:共著30名
Abstract:高分子の産業動向についてのまとめ。担当:プラスチック市場動向 エレクトロニクス-半導体デバイス。半導体に用いられる有機材料の観点からレジスト材料、バッファーコート材、パッケージ材料について解説した。


半導体集積回路用レジスト材料ハンドブック, 67-77
リアライズ社 1996
Author:山岡亜夫監修、上野、田中、中瀬編集、山岡他18名
Abstract:レジスト材料全般についてのハンドブック。担当:編集者としてのとりまとめとg/i 線レジスト材料g線(436nm)/i 線(365nm)用レジスト材料、ジアゾナフトキノン・ノボラック樹脂系、およびフェノール樹脂とアジド化合物からなるレジストの開発について解説。


光機能性高分子材料の新展開, 119-140
シーエムシー 1996
Author:市村國弘監修、市村他22名
Abstract:光に応答する材料に関する最新動向についてまとめたもの。担当:レジスト材料の開発動向、特に化学増幅系KrF用レジストとArF用レジストを解説。


薄膜作製応用ハンドブック, 510-528
エヌ・ティー・エス 1995
Author:権田俊一監修 共著132名
Abstract:薄膜作製に関するハンドブック。担当:第2編薄膜の作製と加工、第6章第1節リソグラフィおよび第2節レジスト。第1節では解像度とNAとの関係および超解像リソグラフィの光学的説明を充実させた。第2節ではジアゾナフトキノン系ポジ型レジスト、KrF用化学増幅系レジスト、X線・電子線レジストについて解説した。


Gビット時代へのリソグラフィ技術, 150-153
リアライズ社 1995
Author:青木他29名
Abstract:GビットDRAM用リソグラフィ技術の進展についてのまとめ。担当:第6章第2節第1項。KrFエキシマ-レーザ(248nm)用化学増幅系レジストの総説。


ULSIリソグラフィ技術の革新, 294-296
サイエンスフォーラム 1994
Author:滝川,岡崎,森本編,著者18名
Abstract:ULSIリソグラフィの最新動向をまとめたもの。担当:第6章レジスト技術の担当者の選任およびまとめ。


ULSIプロセス材料実務便覧, 148-153
サイエンスフォーラム 1992
Author:津屋英樹、津屋他50名
Abstract:ULSI製造プロセスに用いられる材料の便覧。担当:第2章第7節DUVレジスト材料。短波長用レジストの現状と開発状況のまとめ。


レジスト材料•プロセス技術, 104-112
技術情報協会 1991
Author:野々垣他21名
Abstract:半導体、ポリイミド、実装用感光性材料プロセスをまとめたもの。担当:化学増幅系レジスト。化学増幅系レジストの開発状況とその課題を解説。


短波長フォトレジスト材料, 172-201
ぶんしん出版 1988
Author:上野巧, 岩柳隆夫, 野々垣三郎ほか
Abstract:短波長用レジストに関する解説。IBMのレジストグループとの共同作業。担当:全体のまとめとエキシマ-レーザリソグラフィに関する解説。


論文
電子線レジスト
高分子,:141-142 2011
Author:上野巧


半導体用ウエハコート耐熱高分子
材料の科学と工学,45:43-47 2008
Author:上野巧


Influence of Viscosity on Photopolymerization in Film as Studied by Real Time FTIR
J. Photopolym. Sci. Technol.,20:141-142 2007
Author:A. Nicolas and T. Ueno


Low Temperature Curing of Polyimide Precursors by Variable Frequency Microwave
J. Photopolym. Sci. Technol.,18:327-332 2005
Author:H. Matsutani, T. Hattori, M. Ohe, et al.


Dissolution inhibitory effect of urea additives on a carboxyl polymer through a supramolecular structure
J. Photopolym. Sci. Technol.,11:533-537 1998
Author:Y. Maekawa, T. Ueno, T. Miwa,et al.


光の短波長化とレジスト開発
化学と工業,50:1736-1739 1997
Author:上野巧


Highly sensitive electron-beam negative resists utilizing phenylcarbinol as dissolution-inhibitor precursor
J. Photopolym. Sci. Technol.,9:685-690 1996
Author:S. Migitaka, S. Uchino, T. Ueno etal.


Delay-free deprotection approach to robust chemically amplified resist
J. Photopolym. Sci. Technol.,9:611-617 1996
Author:T. Hattori, A. Imai, R. Yamanaka et al.


Negative Resists Using Acid-catalyzed dehydration of phenylcarbinols: correlation between chemical structure and resist sensitivity
Chem. Mater.,8:2433-2438 1996
Author:K. Kojima, S. Uchino, N. Asai et al.


リソグラフィ用レジスト
O plus E,183:77-82 1995
Author:上野巧


次世代リソグラフィ用レジスト材料
光学,23:632-635 1994
Author:上野巧


Nanometer-scale imaging characteristics of novolak resin-based chemical amplification negative resist systems and molecular weight distribution effects of resin matix
J. Vac. Sci. Technol. B,12:3895-3900 1994
Author:H. Shiraishi, T. Yoshimura, T. Sakamizu et al.


Chemical amplification resists for future lithography
J. Photopolym. Sci. Technol.,7:397-403 1994
Author:T. Ueno, H. Shiraishi, S. Uchino et al.


KrF trilayer resist system using azide-phenol resin resist
J. Photopolym. Sci. Technol.,7:23-27 1994
Author:N. Asai , A. Imai, T. Ueno et al.


化学増幅型レジストの現状と将来
表面技術,44:485-488 1993
Author:上野巧


Chemical amplification positive deep ultraviolet resist by means of partially tetrahydropyranyl-protected polyvinylphenol
Opt. Eng.,32:2368-2373 1993
Author:T. Hattori, L. Schlegel, A. Imai et al.


Development of positive electron-beam resist for 50 kV electron-beam direct-writing lithography
J. Vac. Sci. Technol. B,11:2812-2816 1993
Author:T. Sakamizu, H. Yamaguchi, H. Shiraishi et al.


化学増幅系エキシマ対応レジスト
Semiconductor World,1992(1):181-184 1992
Author:上野巧


Acid formation from various sulfonates in a chmical amplification resists
Polym. Eng. Sci.,32:1511-1517 1992
Author:T. Ueno, L. Schlegel, N. Hayashi et al.


Acid-catalyzed reactions of tetrahydropyranyl-protected polyvinylphenol in a novolak-resin-based positive resist
Jpn. J. Appl. Phys.,31:4288-4291 1992
Author:T. Sakamizu, H. Shiraishi, H. Yamaguchi et al.


Bisazidobiphenyl / novolak resin negativeresist systems for i-line phase-shifting lithography
Jpn. J. Appl. Phys.,31:4307-4310 1992
Author:K. T. Hattori, T. Hattori, S. Uchino et al.


[化学増幅]単層で0.3μm 線/間隔実現にメド 下地依存性と安定性が課題
日経マイクロデバイス,1991(5):75-77 1991
Author:上野巧


化学増幅系レジスト
表面,29:439-444 1991
Author:上野巧


Dissolution inhibition of phenolic resins by diazonaphthoquinone: effect of polymer structure
Jpn. J. Appl. Phys.,30:3125-3130 1991
Author:T. Hattori, T. Ueno, H. Shiraishi et al.


90SPIEレポート 最新レジストレジストプロセス
Semiconductor World,1990(5):65-66 1990
Author:上野巧


DeepUVリソグラフィ用化学増幅系レジスト材料
Semicon NEWS,1989(12):24-27 1989
Author:上野巧


Materials and processes for deep-UV lithography
Adv. Chem. Ser,218:ch.3 1988
Author:T. Iwayanagi, T. Ueno, S. Nonogaki et al.


ペニング衝突過程
応用物理,47:1006-1016 1978
Author:上野 巧、籏野嘉彦