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上野巧  ウエノ タクミ

教員組織電話番号0268-75-5603
教育組織繊維学部FAX番号0268-75-5603
職名特任教授メールアドレスueno-t@shinshu-u.ac.jp
住所〒386-8567 長野県上田市常田3-15-1ホームページURL

プロフィール

COE・クラスタ・
研究グループ
ファイバーイノベーション・インキュベーター(Fii)施設
学歴
取得学位
理学(博士) , 東京工業大学

研究活動業績

研究業績(著書・
発表論文等)
著書
フォトレジスト材料の新展開
シーエムシー出版 , :71-83,197-210 2009
Abstract:フォトレジストの開発動向担当:KrF用レジストおよび電子線レジストの動向および解説


ポリイミドの高性能化と応用技術
サイエンス&テクノロジー 2008
Abstract:ポリイミドの開発動向とその応用についてのまとめ担当:半導体パッケージ用ポリイミドにおける特性と制御


電子線リソグラフィ教本
オーム社 , :93-114 2007
Author:横山監修
Abstract:電子線リソグラフィ関する教科書担当:電子線レジストの作用機構および電子線レジストの解説


半導体・液晶ディスプレイフォトリソグラフィ技術ハンドブック
リアライズ理工センター , :320-330 2006
Author:石橋、上野、鵜飼ほか編集
Abstract:半導体および液晶ディスプレイにおけるリソグラフィ関するハンドブック分担:編集とバッファーコート用ポリイミドとポリベンゾオキサゾールの材料・プロセスの解説


最新ポリイミド材料とその応用技術
シーエムシー出版 2006
Abstract:ポリイミドの最新情報とポリイミドの応用技術についてのまとめ担当:実装用ポリイミドの動向


高分子材料・技術総覧
産業技術サービスセンター , :432-435 2004
Author:大武ほか122名
Abstract:高分子のリスク管理、高分子材料性質制御、高分子機能性材料の最新状況担当:半導体バッファコート材料


はじめての半導体リソグラフィ
工業調査会 , :209-275 2003
Author:岡崎他1名
Abstract:半導体微細加工技術(リソグラフィ)について初心者向けに解説したもの担当:リソグラフィ技術で用いる感光性材料(レジスト)について、レジストの技術の変遷、および将来の技術動向を含めて考察し、解説した。


21世紀の有機材料の展望
ワークショップ(ぶんしん出版) , :49-66 2001
Author:有機エレクトロニクス研究会編、谷口他13名
Abstract:21世紀の有機材料の展望について担当:半導体微細加工、配線加工技術、半導体の微細加工の進展と将来予測、配線工程の課題と今後の動向について考察した。


光と化学の事典
丸善 , :252-254,460-463,494-497 2001
Author:徳丸他112名
Abstract:光化学に関する、理論、実験手法、装置、先端的な応用技術に関する事典担当:フォトレジスト、電子線レジスト、リソグラフィ


新しい半導体製造プロセスと材料
シーエムシー , :50-67 2000
Author:大見忠弘監修、大見他30名
Abstract:半導体製造プロセスと材料に関して新しい動向をまとめたもの。担当:フォトレジストのなかでLSI用レジストの動向と将来技術予測。特にArFリソグラフィと電子線リソグラフィの動向とそれに対するレジストを述べた。


Microlithography
Marcel Dekker Inc. , :429-514 1998
Author:J. Sheats編、J.Sheats他14名
Abstract:装置、光学、エッチング、レジストプロセス、材料などリソグラフィ全般に関する成書。担当:Chemistry of photoresist materials(フォトレジスト材料の化学)。ジアゾナフトキノン系ポジ型フォトレジストの溶解抑制機構、化学増幅系レジストの酸発生機構についても詳細に記述した。


Microlithography Fundamentals in Semiconductor Devices and Fabrication Technology
Marcel Dekker Inc. , :11-24,65-132,159-228 1998
Author:S. Nonogaki, T. Ueno, and T. Ito
Abstract:半導体デバイス作製にかかわるリソグラフィの初心者を対象にした本。担当:露光装置(ch.2)、フォトレジスト(ch.4)、X線リソグラフィ(ch.6)、電子線リソグラフィ(ch.7)、の解説。


PLASICS AGE ENCYCLOPEDIA<進歩編>
プラスチックス・エージ , :60-68 1996
Author:共著30名
Abstract:高分子の産業動向についてのまとめ。担当:プラスチック市場動向 エレクトロニクス-半導体デバイス。半導体に用いられる有機材料の観点からレジスト材料、バッファーコート材、パッケージ材料について解説した。


半導体集積回路用レジスト材料ハンドブック
リアライズ社 , :67-77 1996
Author:山岡亜夫監修、上野、田中、中瀬編集、山岡他18名
Abstract:レジスト材料全般についてのハンドブック。担当:編集者としてのとりまとめとg/i 線レジスト材料g線(436nm)/i 線(365nm)用レジスト材料、ジアゾナフトキノン・ノボラック樹脂系、およびフェノール樹脂とアジド化合物からなるレジストの開発について解説。


光機能性高分子材料の新展開
シーエムシー , :119-140 1996
Author:市村國弘監修、市村他22名
Abstract:光に応答する材料に関する最新動向についてまとめたもの。担当:レジスト材料の開発動向、特に化学増幅系KrF用レジストとArF用レジストを解説。


薄膜作製応用ハンドブック
エヌ・ティー・エス , :510-528 1995
Author:権田俊一監修 共著132名
Abstract:薄膜作製に関するハンドブック。担当:第2編薄膜の作製と加工、第6章第1節リソグラフィおよび第2節レジスト。第1節では解像度とNAとの関係および超解像リソグラフィの光学的説明を充実させた。第2節ではジアゾナフトキノン系ポジ型レジスト、KrF用化学増幅系レジスト、X線・電子線レジストについて解説した。


Gビット時代へのリソグラフィ技術
リアライズ社 , :150-153 1995
Author:青木他29名
Abstract:GビットDRAM用リソグラフィ技術の進展についてのまとめ。担当:第6章第2節第1項。KrFエキシマ-レーザ(248nm)用化学増幅系レジストの総説。


ULSIリソグラフィ技術の革新
サイエンスフォーラム , :294-296 1994
Author:滝川,岡崎,森本編,著者18名
Abstract:ULSIリソグラフィの最新動向をまとめたもの。担当:第6章レジスト技術の担当者の選任およびまとめ。


ULSIプロセス材料実務便覧
サイエンスフォーラム , :148-153 1992
Author:津屋英樹、津屋他50名
Abstract:ULSI製造プロセスに用いられる材料の便覧。担当:第2章第7節DUVレジスト材料。短波長用レジストの現状と開発状況のまとめ。


レジスト材料•プロセス技術
技術情報協会 , :104-112 1991
Author:野々垣他21名
Abstract:半導体、ポリイミド、実装用感光性材料プロセスをまとめたもの。担当:化学増幅系レジスト。化学増幅系レジストの開発状況とその課題を解説。


短波長フォトレジスト材料
ぶんしん出版 , :172-201 1988
Author:上野巧, 岩柳隆夫, 野々垣三郎ほか
Abstract:短波長用レジストに関する解説。IBMのレジストグループとの共同作業。担当:全体のまとめとエキシマ-レーザリソグラフィに関する解説。


論文
電子線レジスト
高分子,:141-142 2011
Author:上野巧
Abstract:高分子研究者くけエレクトロニクス用材料の特集 担当:電子線レジストの作用機構とその動向


半導体用ウエハコート耐熱高分子
材料の科学と工学,45:43-47 2008
Author:上野巧
Abstract:耐熱性高分子材料の特集 担当:半導体用信頼性向上保護膜である耐熱材料ポリイミドの解説


Influence of Viscosity on Photopolymerization in Film as Studied by Real Time FTIR
J. Photopolym. Sci. Technol.,20:141-142 2007
Author:A. Nicolas and T. Ueno
Abstract:光重合系感光性フィルムの重合機構に関して、光重合性モノマーの濃度と粘度が重合速度に関係していることを示した。


Low Temperature Curing of Polyimide Precursors by Variable Frequency Microwave
J. Photopolym. Sci. Technol.,18:327-332 2005
Author:H. Matsutani, T. Hattori, M. Ohe, et al.
Abstract:ポリイミドの低温硬化が難しいことから可変周波数マイクロ波によるポリイミドの低温硬化に挑戦した。


Dissolution inhibitory effect of urea additives on a carboxyl polymer through a supramolecular structure
J. Photopolym. Sci. Technol.,11:533-537 1998
Author:Y. Maekawa, T. Ueno, T. Miwa,et al.
Abstract:ポリアミック酸のアルカリ水溶液に対する溶解抑制効果を示すウレア化合物の溶解抑制機構の提案。


光の短波長化とレジスト開発
化学と工業,50:1736-1739 1997
Author:上野巧
Abstract:LSI用レジストの開発に関する解説。LSI製造における化学の役割を一般向けに解説。


Highly sensitive electron-beam negative resists utilizing phenylcarbinol as dissolution-inhibitor precursor
J. Photopolym. Sci. Technol.,9:685-690 1996
Author:S. Migitaka, S. Uchino, T. Ueno etal.
Abstract:電子線照射により発生した酸を触媒とするカルビノールの脱水反応を利用したネガ型の化学増幅系レジストを開発、その反応機構と感度特性について調べた。


Delay-free deprotection approach to robust chemically amplified resist
J. Photopolym. Sci. Technol.,9:611-617 1996
Author:T. Hattori, A. Imai, R. Yamanaka et al.
Abstract:KrFエキシマ-レーザ用ポジ型化学増幅系レジストのおいてエトキシエチル基を保護基とし、保護化率を制御することにより環境に対する安定性が向上する。


Negative Resists Using Acid-catalyzed dehydration of phenylcarbinols: correlation between chemical structure and resist sensitivity
Chem. Mater.,8:2433-2438 1996
Author:K. Kojima, S. Uchino, N. Asai et al.
Abstract:露光により発生した酸を触媒とするカルビノールの脱水反応を利用してネガ型の化学増幅系レジストを開発、その反応機構と感度特性について調べた。


リソグラフィ用レジスト
O plus E,183:77-82 1995
Author:上野巧
Abstract:光学者対応レジスト材料の解説。


次世代リソグラフィ用レジスト材料
光学,23:632-635 1994
Author:上野巧
Abstract:次世代レジスト材料の解説、特に化学増幅系レジスト。


Nanometer-scale imaging characteristics of novolak resin-based chemical amplification negative resist systems and molecular weight distribution effects of resin matix
J. Vac. Sci. Technol. B,12:3895-3900 1994
Author:H. Shiraishi, T. Yoshimura, T. Sakamizu et al.
Abstract:ナノメータスケールの解像性の検討した。ノボラック樹脂をベースとする化学増幅系レジストにおけるベースポリマーの分子量分布の解像性への影響を検討。


Chemical amplification resists for future lithography
J. Photopolym. Sci. Technol.,7:397-403 1994
Author:T. Ueno, H. Shiraishi, S. Uchino et al.
Abstract:フォトポリマーコンファランスでのキーノートレクチャーとしての化学増幅系レジストの応用展開に関する報告。


KrF trilayer resist system using azide-phenol resin resist
J. Photopolym. Sci. Technol.,7:23-27 1994
Author:N. Asai , A. Imai, T. Ueno et al.
Abstract:フェノール樹脂とアジド化合物からなるKrFエキシマ-レーザ用ネガ型非化学増幅系レジストを三層レジストプロセスへ適用。


化学増幅型レジストの現状と将来
表面技術,44:485-488 1993
Author:上野巧
Abstract:化学増幅系レジストの開発状況とその課題。


Chemical amplification positive deep ultraviolet resist by means of partially tetrahydropyranyl-protected polyvinylphenol
Opt. Eng.,32:2368-2373 1993
Author:T. Hattori, L. Schlegel, A. Imai et al.
Abstract:KrF用ポジ型レジストの開発において保護基の保護化率を制御することにより表面不溶化層のできにくい環境に対して安定なレジストを得ることができる。


Development of positive electron-beam resist for 50 kV electron-beam direct-writing lithography
J. Vac. Sci. Technol. B,11:2812-2816 1993
Author:T. Sakamizu, H. Yamaguchi, H. Shiraishi et al.
Abstract:高解像性かつ高感度の電子線レジストを得るためにテトラヒドロピラニル基で保護したポリマーとノボラック樹脂からなる系において酸発生剤を検討。


化学増幅系エキシマ対応レジスト
Semiconductor World,1992(1):181-184 1992
Author:上野巧
Abstract:化学増幅系レジストの開発状況とその課題。


Acid formation from various sulfonates in a chmical amplification resists
Polym. Eng. Sci.,32:1511-1517 1992
Author:T. Ueno, L. Schlegel, N. Hayashi et al.
Abstract:化学増幅系レジストにおいてスルホン酸エステルが酸発生剤としてはたらくことを発見し、その分子構造と酸発生効率との関係を検討した。


Acid-catalyzed reactions of tetrahydropyranyl-protected polyvinylphenol in a novolak-resin-based positive resist
Jpn. J. Appl. Phys.,31:4288-4291 1992
Author:T. Sakamizu, H. Shiraishi, H. Yamaguchi et al.
Abstract:高解像性かつ高感度の電子線レジストを得るためにテトラヒドロピラニル基で保護したポリマーとノボラック樹脂からなる系を提案し、ノボラック樹脂の解像性に対する影響を検討した。


Bisazidobiphenyl / novolak resin negativeresist systems for i-line phase-shifting lithography
Jpn. J. Appl. Phys.,31:4307-4310 1992
Author:K. T. Hattori, T. Hattori, S. Uchino et al.
Abstract:i線位相シフトリソグラフィ用ネガ型レジストとしてビスアジドとフェノール樹脂からなるレジストを提案、感度向上のためにモル吸光係数と分解量子収率の観点から解析した。


[化学増幅]単層で0.3μm 線/間隔実現にメド 下地依存性と安定性が課題
日経マイクロデバイス,1991(5):75-77 1991
Author:上野巧
Abstract:化学増幅系レジストの課題についての提唱。


化学増幅系レジスト
表面,29:439-444 1991
Author:上野巧
Abstract:化学増幅系レジストの開発状況とその課題。


Dissolution inhibition of phenolic resins by diazonaphthoquinone: effect of polymer structure
Jpn. J. Appl. Phys.,30:3125-3130 1991
Author:T. Hattori, T. Ueno, H. Shiraishi et al.
Abstract:フェノール樹脂とジアゾナフトキノン系ポジ型レジストにおいて溶解抑制機構についてフェノール樹脂の構造依存について検討し、機構を提案した。


90SPIEレポート 最新レジストレジストプロセス
Semiconductor World,1990(5):65-66 1990
Author:上野巧
Abstract:リソグラフィ、レジストの国際学会の報告。


DeepUVリソグラフィ用化学増幅系レジスト材料
Semicon NEWS,1989(12):24-27 1989
Author:上野巧
Abstract:化学増幅系レジストの開発状況とその課題。


Materials and processes for deep-UV lithography
Adv. Chem. Ser,218:ch.3 1988
Author:T. Iwayanagi, T. Ueno, S. Nonogaki et al.
Abstract:短波長用レジストに関してエキシマ-レーザリソグラフィに関する解説。IBMのレジストグループとの共同作業。担当:エキシマ-レーザリソグラフィの執筆。


ペニング衝突過程
応用物理,47:1006-1016 1978
Author:上野 巧、籏野嘉彦
Abstract:希ガス励起状態と原子あるいは分子との衝突によりイオン化する過程の総説。