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UENO Takumi

Academic OrganizationTEL
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Address3-15-1, Tokida, Ueda CityWeb site

Research

Books, Articles, etc.
Articles
Influence of Viscosity on Photopolymerization in Film as Studied by Real Time FTIR
J. Photopolym. Sci. Technol.,20:141-142 2007
Author:A. Nicolas and T. Ueno
Abstract:光重合系感光性フィルムの重合機構に関して、光重合性モノマーの濃度と粘度が重合速度に関係していることを示した。


Low Temperature Curing of Polyimide Precursors by Variable Frequency Microwave
J. Photopolym. Sci. Technol.,18:327-332 2005
Author:H. Matsutani, T. Hattori, M. Ohe, et al.
Abstract:ポリイミドの低温硬化が難しいことから可変周波数マイクロ波によるポリイミドの低温硬化に挑戦した。


Dissolution inhibitory effect of urea additives on a carboxyl polymer through a supramolecular structure
J. Photopolym. Sci. Technol.,11:533-537 1998
Author:Y. Maekawa, T. Ueno, T. Miwa,et al.
Abstract:ポリアミック酸のアルカリ水溶液に対する溶解抑制効果を示すウレア化合物の溶解抑制機構の提案。


Highly sensitive electron-beam negative resists utilizing phenylcarbinol as dissolution-inhibitor precursor
J. Photopolym. Sci. Technol.,9:685-690 1996
Author:S. Migitaka, S. Uchino, T. Ueno etal.
Abstract:電子線照射により発生した酸を触媒とするカルビノールの脱水反応を利用したネガ型の化学増幅系レジストを開発、その反応機構と感度特性について調べた。


Delay-free deprotection approach to robust chemically amplified resist
J. Photopolym. Sci. Technol.,9:611-617 1996
Author:T. Hattori, A. Imai, R. Yamanaka et al.
Abstract:KrFエキシマ-レーザ用ポジ型化学増幅系レジストのおいてエトキシエチル基を保護基とし、保護化率を制御することにより環境に対する安定性が向上する。


Negative Resists Using Acid-catalyzed dehydration of phenylcarbinols: correlation between chemical structure and resist sensitivity
Chem. Mater.,8:2433-2438 1996
Author:K. Kojima, S. Uchino, N. Asai et al.
Abstract:露光により発生した酸を触媒とするカルビノールの脱水反応を利用してネガ型の化学増幅系レジストを開発、その反応機構と感度特性について調べた。


Nanometer-scale imaging characteristics of novolak resin-based chemical amplification negative resist systems and molecular weight distribution effects of resin matix
J. Vac. Sci. Technol. B,12:3895-3900 1994
Author:H. Shiraishi, T. Yoshimura, T. Sakamizu et al.
Abstract:ナノメータスケールの解像性の検討した。ノボラック樹脂をベースとする化学増幅系レジストにおけるベースポリマーの分子量分布の解像性への影響を検討。


Chemical amplification resists for future lithography
J. Photopolym. Sci. Technol.,7:397-403 1994
Author:T. Ueno, H. Shiraishi, S. Uchino et al.
Abstract:フォトポリマーコンファランスでのキーノートレクチャーとしての化学増幅系レジストの応用展開に関する報告。


KrF trilayer resist system using azide-phenol resin resist
J. Photopolym. Sci. Technol.,7:23-27 1994
Author:N. Asai , A. Imai, T. Ueno et al.
Abstract:フェノール樹脂とアジド化合物からなるKrFエキシマ-レーザ用ネガ型非化学増幅系レジストを三層レジストプロセスへ適用。


Chemical amplification positive deep ultraviolet resist by means of partially tetrahydropyranyl-protected polyvinylphenol
Opt. Eng.,32:2368-2373 1993
Author:T. Hattori, L. Schlegel, A. Imai et al.
Abstract:KrF用ポジ型レジストの開発において保護基の保護化率を制御することにより表面不溶化層のできにくい環境に対して安定なレジストを得ることができる。


Development of positive electron-beam resist for 50 kV electron-beam direct-writing lithography
J. Vac. Sci. Technol. B,11:2812-2816 1993
Author:T. Sakamizu, H. Yamaguchi, H. Shiraishi et al.
Abstract:高解像性かつ高感度の電子線レジストを得るためにテトラヒドロピラニル基で保護したポリマーとノボラック樹脂からなる系において酸発生剤を検討。


Acid formation from various sulfonates in a chmical amplification resists
Polym. Eng. Sci.,32:1511-1517 1992
Author:T. Ueno, L. Schlegel, N. Hayashi et al.
Abstract:化学増幅系レジストにおいてスルホン酸エステルが酸発生剤としてはたらくことを発見し、その分子構造と酸発生効率との関係を検討した。


Acid-catalyzed reactions of tetrahydropyranyl-protected polyvinylphenol in a novolak-resin-based positive resist
Jpn. J. Appl. Phys.,31:4288-4291 1992
Author:T. Sakamizu, H. Shiraishi, H. Yamaguchi et al.
Abstract:高解像性かつ高感度の電子線レジストを得るためにテトラヒドロピラニル基で保護したポリマーとノボラック樹脂からなる系を提案し、ノボラック樹脂の解像性に対する影響を検討した。


Bisazidobiphenyl / novolak resin negativeresist systems for i-line phase-shifting lithography
Jpn. J. Appl. Phys.,31:4307-4310 1992
Author:K. T. Hattori, T. Hattori, S. Uchino et al.
Abstract:i線位相シフトリソグラフィ用ネガ型レジストとしてビスアジドとフェノール樹脂からなるレジストを提案、感度向上のためにモル吸光係数と分解量子収率の観点から解析した。


Dissolution inhibition of phenolic resins by diazonaphthoquinone: effect of polymer structure
Jpn. J. Appl. Phys.,30:3125-3130 1991
Author:T. Hattori, T. Ueno, H. Shiraishi et al.
Abstract:フェノール樹脂とジアゾナフトキノン系ポジ型レジストにおいて溶解抑制機構についてフェノール樹脂の構造依存について検討し、機構を提案した。